[發(fā)明專利]圖像傳感器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911312886.2
• 申請日: 2018-06-25
• 公開（公告）號: CN111129072A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李貴德;金政勳;金昶和;樸商秀;嚴(yán)祥訓(xùn);李范碩;李泰淵;任東模
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/30
• 分類號: H01L27/30
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 易皎鶴

1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

有機光電轉(zhuǎn)換層，夾置在第一電極與第二電極之間；

接觸塞，連接到所述第一電極；

互連層，位于層間絕緣層中且連接到所述接觸塞；以及

互連通孔，連接到所述互連層與襯底中的存儲節(jié)點，

其中所述第一電極的面對所述有機光電轉(zhuǎn)換層的上表面大于所述第一電極的下表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，其中所述接觸塞包括：

第一接觸塞，連接到所述第一電極；

通孔，連接到所述第一接觸塞；以及

第二接觸塞，連接到所述通孔且局部地穿透所述通孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，其中所述第一接觸塞具有從所述第一電極朝所述通孔減小的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，其中所述第二接觸塞具有從所述通孔朝所述互連層減小的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖像傳感器，其特征在于，其中所述第一接觸塞具有從所述第一電極朝所述通孔減小的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，其中所述第一電極通過所述第一接觸塞、所述通孔、所述第二接觸塞、所述互連層以及所述互連通孔電連接到所述存儲節(jié)點。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，其中所述接觸塞穿透所述襯底。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括位于所述第一電極之下的頂蓋絕緣層，且

其中所述第一電極的所述下表面與所述頂蓋絕緣層的上表面共面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，其中所述互連通孔具有柱形形狀。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像傳感器，其特征在于，其中所述互連通孔設(shè)置為與所述襯底的下表面垂直。

11.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

第一光電二極管，包括第一電極與第二電極；

第二光電二極管，位于所述第一光電二極管之下；

接觸塞，連接到所述第一電極；

互連層，位于層間絕緣層中且連接到所述接觸塞；以及

互連通孔，連接到所述互連層與襯底中的存儲節(jié)點，

其中所述第一電極的上表面大于所述第一電極的下表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖像傳感器，其特征在于，其中所述接觸塞包括：

第一接觸塞，連接到所述第一電極；

通孔，連接到所述第一接觸塞；以及

第二接觸塞，連接到所述通孔且延伸到所述通孔中。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖像傳感器，其特征在于，其中所述第一光電二極管位于所述襯底的第一表面之上，且所述層間絕緣層位于所述襯底的第二表面之上。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括環(huán)繞所述第一電極的側(cè)表面的電極絕緣層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的圖像傳感器，其特征在于，其中所述電極絕緣層具有從其下表面朝其上表面減小的寬度。