[發(fā)明專利]LLC諧振電路的控制裝置和方法及直流-直流轉(zhuǎn)換器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911310326.3 | 申請(qǐng)日： | 2019-12-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113014101A | 公開（公告）日： | 2021-06-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐光偉;謝永濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 雅達(dá)電子國(guó)際有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H02M3/335 | 分類號(hào)： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陳煒 |
| 地址： | 中國(guó)香*** | 國(guó)省代碼： | 香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | llc 諧振 電路 控制 裝置 方法 直流 轉(zhuǎn)換器 | ||
1.一種用于LLC諧振電路的控制裝置，所述LLC諧振電路包括高側(cè)開關(guān)和低側(cè)開關(guān)，所述控制裝置包括：
監(jiān)測(cè)單元，所述監(jiān)測(cè)單元被配置成監(jiān)測(cè)所述高側(cè)開關(guān)與所述低側(cè)開關(guān)之間的節(jié)點(diǎn)處的電壓以生成監(jiān)測(cè)信號(hào)；
比較和邏輯單元，所述比較和邏輯單元被配置成從所述監(jiān)測(cè)單元接收所述監(jiān)測(cè)信號(hào)，并且基于所述監(jiān)測(cè)信號(hào)、參考信號(hào)和所述LLC諧振電路的調(diào)制信號(hào)來生成用于控制所述高側(cè)開關(guān)和所述低側(cè)開關(guān)的狀態(tài)的控制信號(hào)；以及
驅(qū)動(dòng)單元，所述驅(qū)動(dòng)單元被配置成從所述比較和邏輯單元接收所述控制信號(hào)，并且基于所述控制信號(hào)來生成用于驅(qū)動(dòng)所述高側(cè)開關(guān)和所述低側(cè)開關(guān)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制裝置，其中，所述比較和邏輯單元包括高側(cè)比較和邏輯單元以及低側(cè)比較和邏輯單元，所述高側(cè)比較和邏輯單元以及所述低側(cè)比較和邏輯單元分別包括：
推挽比較器，所述推挽比較器被配置成將所述監(jiān)測(cè)信號(hào)與所述參考信號(hào)進(jìn)行比較以生成使能信號(hào)；以及
與門邏輯塊，所述與門邏輯塊被配置成對(duì)所述使能信號(hào)和所述調(diào)制信號(hào)進(jìn)行邏輯運(yùn)算以生成所述控制信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制裝置，其中，所述高側(cè)比較和邏輯單元被配置成：
當(dāng)所述監(jiān)測(cè)信號(hào)的電平低于高側(cè)參考信號(hào)的電平時(shí)，生成具有低電平的高側(cè)使能信號(hào)以關(guān)斷所述高側(cè)開關(guān)，和
對(duì)所述高側(cè)使能信號(hào)和高側(cè)調(diào)制信號(hào)進(jìn)行與邏輯運(yùn)算以生成用于控制所述高側(cè)開關(guān)的狀態(tài)的高側(cè)控制信號(hào)；
以及其中，所述低側(cè)比較和邏輯單元被配置成：
當(dāng)所述監(jiān)測(cè)信號(hào)的電平高于低側(cè)參考信號(hào)的電平時(shí)，生成具有低電平的低側(cè)使能信號(hào)以關(guān)斷所述低側(cè)開關(guān)；和
對(duì)所述低側(cè)使能信號(hào)和低側(cè)調(diào)制信號(hào)進(jìn)行與邏輯運(yùn)算以生成用于控制所述低側(cè)開關(guān)的狀態(tài)的低側(cè)控制信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的控制裝置，其中，所述高側(cè)比較和邏輯單元包括第一級(jí)推挽比較器和第二級(jí)推挽比較器，并且其中，生成具有低電平的高側(cè)使能信號(hào)以關(guān)斷所述高側(cè)開關(guān)還包括：
所述第一級(jí)推挽比較器比較所述監(jiān)測(cè)信號(hào)和所述高側(cè)參考信號(hào)并且當(dāng)所述監(jiān)測(cè)信號(hào)的電平低于所述高側(cè)參考信號(hào)的電平時(shí)輸出高電平信號(hào)，以及
所述第二級(jí)推挽比較器比較所述高電平信號(hào)和所述高側(cè)參考信號(hào)并且當(dāng)所述高電平信號(hào)的電平高于所述高側(cè)參考信號(hào)的電平時(shí)輸出低電平信號(hào)作為用于關(guān)斷所述高側(cè)開關(guān)的高側(cè)使能信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制裝置，其中，所述監(jiān)測(cè)單元包括串聯(lián)連接的兩個(gè)電阻器，以及其中，所述兩個(gè)電阻器連接在所述高側(cè)開關(guān)與所述低側(cè)開關(guān)之間的節(jié)點(diǎn)和地之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制裝置，其中，所述參考信號(hào)是固定的或可變的信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制裝置，其中，所述高側(cè)開關(guān)和所述低側(cè)開關(guān)是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET，以及其中，所述高側(cè)開關(guān)與所述低側(cè)開關(guān)之間的節(jié)點(diǎn)處的電壓是所述MOSFET的漏極-源極電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制裝置，其中，所述高側(cè)開關(guān)和所述低側(cè)開關(guān)是絕緣柵雙極型晶體管IGBT，以及其中，所述高側(cè)開關(guān)與所述低側(cè)開關(guān)之間的節(jié)點(diǎn)處的電壓是所述IGBT的集電極-發(fā)射極電壓。
9.一種用于LLC諧振電路的控制方法，所述LLC諧振電路包括高側(cè)開關(guān)和低側(cè)開關(guān)，所述控制方法包括：
通過監(jiān)測(cè)單元，監(jiān)測(cè)所述高側(cè)開關(guān)與所述低側(cè)開關(guān)之間的節(jié)點(diǎn)處的電壓以生成監(jiān)測(cè)信號(hào)；
通過比較和邏輯單元，從所述監(jiān)測(cè)單元接收所述監(jiān)測(cè)信號(hào)，并且基于所述監(jiān)測(cè)信號(hào)、參考信號(hào)和所述LLC諧振電路的調(diào)制信號(hào)來生成用于控制所述高側(cè)開關(guān)和所述低側(cè)開關(guān)的狀態(tài)的控制信號(hào)；以及
通過驅(qū)動(dòng)單元，從所述比較和邏輯單元接收所述控制信號(hào)，并且基于所述控制信號(hào)來生成用于驅(qū)動(dòng)所述高側(cè)開關(guān)和所述低側(cè)開關(guān)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
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