[發明專利]一種非揮發存儲器

在審

• 申請號: 201911310323.X
• 申請日: 2019-12-18
• 公開（公告）號: CN112992208A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 劉岐;周泉;沈曄暉;李冠華;李清;沈磊;俞軍
• 申請（專利權）人: 上海復旦微電子集團股份有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12;G11C7/18;G11C8/08;G11C8/14
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種非揮發存儲器，其特征在于，包含：若干個存儲模塊，WL控制電路、BL控制電路、SL控制電路；

所述存儲模塊包含若干個相同的存儲單元構成的存儲單元陣列；所述存儲單元包含至少一個WL端口、一個BL端口和一個SL端口；

所述WL控制電路的輸入端口連接WL地址信號；同一行存儲單元的WL端口形成陣列結構；同一行的WL端口均連接WL控制電路的同一個輸出端口，不同行的WL端口連接WL控制電路不同的輸出端口；

BL控制電路的輸入端口連接BL地址信號，同一列存儲單元的BL端口均連接BL控制電路的同一個輸出端口，不同列存儲單元的BL端口連接BL控制電路不同的輸出端口；

SL控制電路的輸入端口連接SL地址信號，同一個存儲模塊的存儲單元的SL端口均連接SL控制電路的同一個輸出端口，不同存儲模塊的存儲單元的SL端口連接SL控制電路不同的輸出端口。

2.如權利要求1所述的非揮發存儲器，其特征在于，所述非揮發存儲器包含N×m個存儲單元，所述N×m個存儲單元具有N行m列的陣列結構；

所述若干個存儲模塊分別為第1至第n存儲模塊，n＞1；其中第i存儲模塊為b_i行m列的陣列結構，包含b_i×m個存儲單元，i∈[1,n]，

3.如權利要求2所述的非揮發存儲器，其特征在于，所述存儲單元為2T存儲單元、1.5T存儲單元、1T存儲單元、MT存儲單元、1T1R存儲單元中的任一種。

4.如權利要求3所述的非揮發存儲器，其特征在于，所述2T存儲單元包含：一個選擇管，一個存儲管，一個WL端口，一個CG端口，一個BL端口和一個SL端口；2T存儲單元的WL端口連接該2T存儲單元選擇管的柵極；2T存儲單元的CG端口連接該2T存儲單元存儲管的柵極；2T存儲單元的BL端口接該2T存儲單元選擇管的漏極；2T存儲單元選擇管的源極接該2T存儲單元存儲管的漏極；2T存儲單元存儲管的源極接該2T存儲單元的SL端口。

5.如權利要求3所述的非揮發存儲器，其特征在于，所述2T存儲單元包含：一個選擇管，一個存儲管，一個WL端口，一個BL端口和一個SL端口；2T存儲單元的WL端口連接該2T存儲單元選擇管的柵極；2T存儲單元的BL端口接該2T存儲單元存儲管的漏極；2T存儲單元存儲管的源極接該2T存儲單元選擇管的漏極；2T存儲單元選擇管的源極接該2T存儲單元的SL端口。

6.如權利要求3所述的非揮發存儲器，其特征在于，所述1.5T存儲單元包含：一個雙柵存儲管，一個WL端口，一個CG端口，一個BL端口和一個SL端口；所述雙柵存儲管的單層柵極接該1.5T存儲單元的WL端口；所述雙柵存儲管的雙層柵極的上層柵極接該1.5T存儲單元的CG端口；所述雙柵存儲管的雙層柵極的下層柵極浮空；所述雙柵存儲管的漏極接該1.5T存儲單元的BL端口；所述雙柵存儲管的源極接該1.5T存儲單元的SL端口。

7.如權利要求3所述的非揮發存儲器，其特征在于，所述1T存儲單元包含：一個存儲管，一個WL端口，一個BL端口和一個SL端口；1T存儲單元存儲管的柵極接該1T存儲單元的WL端口；1T存儲單元的漏極接該1T存儲單元的BL端口；1T存儲單元的源極接該1T存儲單元的SL端口。

8.如權利要求3所述的非揮發存儲器，其特征在于，所述MT存儲單元包含：依序設置的第一至第kWL端口、一個BL端口和一個SL端口；同一行m個MT存儲單元的WL端口形成k×m的陣列結構；MT存儲單元還包含：依序連接的第一選擇管、第一至第k存儲管、第二選擇管；MT存儲單元第一選擇管的漏極連接該MT存儲單元的BL端口；MT存儲單元第一選擇管的源極連接該MT存儲單元第一存儲管的漏極；MT存儲單元第j存儲管的源極連接第j+1存儲管的漏極，其中j∈[1,k-1]；MT存儲單元第i存儲管的柵極連接第iWL端口，其中i∈[1,k]；MT存儲單元第k存儲管的源極連接該MT存儲單元第二選擇管的漏極；MT存儲單元第二選擇管的源極接該MT存儲單元的SL端口。