[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 201911308271.2
• 申請日: 2019-12-18
• 公開（公告）號: CN112993027A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 林永豐;林鑫成;周政偉;周鈺杰
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/335;H01L23/48
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 趙平;周永君

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

一基板；

一晶種層，位于所述基板上；

一外延層，位于所述晶種層上；

一第一晶體管，位于所述外延層上；

一層間介電層，位于所述外延層上；

一介電柱，穿過所述層間介電層及所述外延層；以及

一導電襯層，位于所述介電柱的一側壁上，且電連接所述第一晶體管至所述晶種層。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括一第一金屬層，電連接所述導電襯層與所述第一晶體管。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述第一金屬層，電連接所述導電襯層與所述第一晶體管的一第一源極結構。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述導電襯層還位于相對于所述側壁的另一側壁上。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，還包括：

一第二晶體管，位于所述外延層上且鄰近于所述介電柱的所述另一側壁；以及

一第二金屬層，橫跨于所述導電襯層與所述第二晶體管上方，且與所述導電襯層于所述另一側壁上的一端連接。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述第二金屬層電連接所述導電襯層與所述第二晶體管的一第二源極結構。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述介電柱的底部不低于所述導電襯層的底部。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述介電柱還穿過所述晶種層并接觸所述基板。

9.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包括一隔離結構，位于所述介電柱周圍。

10.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一晶體管為高電子移動率晶體晶體管。

11.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一晶種層于所述基板上；

形成一外延層于所述晶種層上；

形成一第一晶體管于所述外延層上；

形成一層間介電層于所述外延層上且覆蓋所述第一晶體管；

形成一穿孔，其延伸穿過所述層間介電層及所述外延層，并暴露出所述晶種層的部分表面；

形成一導電襯層于所述穿孔的一側壁上，且電連接所述第一晶體管至所述晶種層；以及

以一介電填料填充所述穿孔，以形成一介電柱。

12.根據權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述導電襯層的步驟包括：

形成所述導電襯層于所述穿孔的底部、側壁及所述層間介電層上；以及

去除位于所述穿孔的底部及所述層間介電層上的所述導電襯層。

13.根據權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括在形成所述介電柱之后形成一第一金屬層，電連接所述導電襯層與所述第一晶體管。

14.根據權利要求13所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一金屬層，電連接所述導電襯層與所述第一晶體管的一第一源極結構。

15.根據權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述導電襯層還形成于相對于所述穿孔的所述側壁的一另一側壁上。