[發明專利]一種N型電池結構及其制備方法在審
| 申請號: | 201911305032.1 | 申請日: | 2019-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN113078232A | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發明(設計)人: | 李碩;楊慧;鄧偉偉;蔣方丹 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阜寧阿特斯陽光電力科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/068 | 分類號: | H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鞏克棟 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電池 結構 及其 制備 方法 | ||
本發明公開了一種N型電池結構及其制備方法。包括N型硅體材料及形成于所述N型硅體材料表面的金屬柵線電極,其特征在于,所述N型硅體材料的背面設有絨面部分及拋光面部分,所述金屬柵線電極與N型硅體材料接觸的位置位于所述絨面部分內。背面金屬柵線電極采用絨面結構,增大了金屬柵線與硅的接觸面積,改善接觸電阻;拋光區域的平坦表面,能夠改善背面鈍化效果,降低表面復合速率,同時增強對長波的內反射,提高正面電流。
技術領域
本發明涉及太陽能電池技術領域,涉及一種N型電池結構及其制備方法。
背景技術
隨著太陽能電池技術的發展,電池效率日益提高,主要得益于表面鈍化技術的發展,如全鋁背場電池發展到PERC電池得益于氧化鋁被鈍化技術的發展,極大的降低了電池背表面的復合。PERC電池發展到TOPcon電池,得益于遂穿氧化層與poly膜結構對金屬接觸的鈍化作用,極大的降低了背面金屬接觸下的復合。而隨著表面復合速率的日益降低,體材料的壽命逐漸變成了制約電池效率提升的關鍵因素。而相比P型摻雜的硅材料,N型摻雜的硅材料在相同的電阻率下,摻雜濃度低,雜質含量少,因而具有壽命高的優勢。因此,在太陽能電池片市場中,N型電池占比日益提高。
對于N型電池,在金屬化制作電極中,一般只使用銀漿(以下稱,Ag)作為電極,用來收集光照下電池表面移除的電子并將它們傳輸到外電路。Ag與硅接觸電阻一直比較高,這一情況尤其存在于N型電池的背面。為了獲得好的表面鈍化效果和增加背面對長波的內發射,提高正面電流,N型電池背面往往采用拋光結構,制作平坦的表面,這十分不利于Ag電極的接觸。而對比絨面結構,絨面有著更高的比表面積,與金屬接觸的面積更大,非常有利于接觸。所以往往絨面結構的接觸電阻會較拋光面的接觸電阻小很多。同樣的,絨面的表面比較粗糙,不利于膜層的鈍化。因而表面鈍化和表面金屬接觸很難兼顧,二者相互矛盾。
發明內容
針對現有技術中存在的上述問題,本發明的目的在于提供一種N型電池結構及其制備方法。本發明提供的新型的N型電池結構,可以兼顧表面的鈍化與金屬下的接觸,實現降低表面復合的同時,降低金屬位置的接觸電阻率。
為達上述目的,本發明采用以下技術方案:
第一方面,本發明提供一種N型電池結構,包括N型硅體材料及形成于所述N型硅體材料表面的金屬柵線電極,所述N型硅體材料的背面設有絨面部分及拋光面部分,所述金屬柵線電極與N型硅體材料接觸的位置位于所述絨面部分內。
本發明的N型電池結構限定金屬柵線電極與N型硅體材料接觸的位置位于所述絨面部分內,并使硅體材料背面存在拋光面部分,用于膜層鈍化。背面金屬柵線電極采用絨面結構,增大了金屬柵線與硅的接觸面積,改善接觸電阻;拋光區域的平坦表面,能夠改善背面鈍化效果,降低表面復合速率,同時增強對長波的內反射,提高正面電流。
本發明所述絨面結構例如可以是本領域常用的金字塔絨面結構。
更優選地,金屬柵線電極與N型硅體材料接觸的位置為絨面,未接觸的位置為拋光面,可以更好地實現上述改善接觸電阻以及降低表面復合塑料的優點。
優選地,所述N型電池還包括依次位于所述N型硅體材料正面的pn結層、鈍化層、減反射層和正面電極,以及依次位于所述N型硅體材料背面的量子隧穿層、P摻雜的多晶硅層、保護層和金屬柵線電極;其中,正面電極與鈍化層接觸,金屬柵線電極與P摻雜的多晶硅層接觸。
此優選技術方案中,在N型硅體材料的背面和金屬柵線電極之間具有量子隧穿層、P摻雜的多晶硅層和保護層,量子隧穿層和P摻雜的多晶硅層的厚度之和小于絨面的高度,且金屬柵線電極與P摻雜的多晶硅層接觸,故不影響金屬柵線電極與N型硅體材料接觸的位置為絨面。
優選地,所述N型硅體材料背面的絨面高度為0.5μm~5μm,例如0.5μm、1μm、1.5μm、2μm、2.3μm、2.5μm、2.8μm、3μm、3.5μm、4μm或5μm等。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





