[發(fā)明專利]一種雙面對稱鈍化硅片表面復(fù)合電流密度分布的測試方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911304205.8
• 申請日: 2019-12-17
• 公開（公告）號: CN113075172B
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李碩;楊慧;鄧偉偉;蔣方丹
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64;G01R31/26
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種雙面對稱鈍化硅片表面復(fù)合電流密度分布的測試方法，其特征在于，所述測試方法包括如下步驟：

制備雙面對稱鈍化硅片；

測試所述雙面對稱鈍化硅片的厚度和對測試波段光的反射率；

測試iVoc和PL：在不同強(qiáng)度的光照條件下，測試所述雙面對稱鈍化硅片的待測區(qū)域的過剩載流子濃度△n和平均發(fā)光強(qiáng)度PL，根據(jù)△n計(jì)算得出隱式開路電壓iVoc值；

建立線性關(guān)系：根據(jù)得到的iVoc值和PL值，建立iVoc與ln(PL)之間的線性關(guān)系式iVoc＝a·ln(PL)+b；

計(jì)算J0_ij：光照所述雙面對稱鈍化硅片，測試所述雙面對稱鈍化硅片上任一區(qū)域(i,j)的發(fā)光強(qiáng)度PL_ij，根據(jù)關(guān)系式iVoc_ij＝a·ln(PL_ij)+b和PL_ij值計(jì)算得到所述雙面對稱鈍化硅片表面的復(fù)合電流密度分布J0_ij；

表面復(fù)合電流密度分布J0_ij的計(jì)算公式如公式2所示：

公式2：

其中，K為玻爾茲曼常數(shù)；T為測試過程中的開爾文溫度；q為元電荷量，為1.6×10^-19C；R為雙面對稱鈍化硅片的平均反射率；對1000W/cm²的光照強(qiáng)度，flux·q＝43.6mA/cm²。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述雙面對稱鈍化硅片的基材為N型硅片，且所述N型硅片的體積電阻率在5Ω·cm以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的測試方法，其特征在于，所述雙面對稱鈍化硅片的基材為P型硅片，且所述P型硅片的體積電阻率在10Ω·cm以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述雙面對稱鈍化硅片的厚度在1000μm以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述測試中所照射的光的波長為800-1000nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試方法，其特征在于，所述測試中所照射的光的波長為915nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述測試iVoc和PL的步驟中所照射的光強(qiáng)度為10-18000W/m²。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述測試iVoc和PL的步驟中所照射的光的強(qiáng)度梯度為100-1800W/m²。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述測試是在20-25℃下進(jìn)行。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的測試方法，其特征在于，所述測試是在25℃下進(jìn)行。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述過剩載流子濃度采用少子壽命測試儀測試。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述發(fā)光強(qiáng)度采用光致發(fā)光檢測設(shè)備測試。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述雙面對稱鈍化硅片的制備方法為：使用N型硅片或P型硅片，依次進(jìn)行雙面制絨、雙面擴(kuò)散、雙面去磷硅玻璃和雙面鍍鈍化層，然后燒結(jié)，得到所述雙面對稱鈍化硅片。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試方法，其特征在于，所述雙面對稱鈍化硅片的制備方法為：使用N型硅片或P型硅片，依次進(jìn)行雙面制絨、雙面擴(kuò)散、雙面拋光、雙面鍍鈍化層和任選地雙面鍍保護(hù)層，然后燒結(jié)，得到所述雙面對稱鈍化硅片。