[發(fā)明專利]顯示面板及顯示面板的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911303413.6 | 申請日: | 2019-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN111129089B | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 譚偉 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 張曉薇 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種顯示面板及顯示面板的制備方法,所述顯示面板包括:基板;像素定義層,設置在所述基板上,所述像素定義層包括間隔設置的輔助電極和像素電極層;電子傳輸層,設置在所述像素定義層上;陰極層設置在所述電子傳輸層上;有機層,設置在所述陰極層上;OLED發(fā)光層,設置在所述像素電極層上;絕緣柱,設置于所述輔助電極上,及金屬層,設置于所述絕緣柱的第一側;其中,所述陰極層通過所述金屬層與所述輔助電極電性連接。本發(fā)明通過使所述陰極層通過所述金屬層與所述輔助電極電性連接,從而通過降低了所述陰極層的電阻,來實現降低了顯示面板的電源電壓降,進而改善了所述顯示面板亮度均一性,提高了生產效率和產品良率。
技術領域
本發(fā)明涉及顯示技術領域,具體涉及一種顯示面板及顯示面板的制備方法。
背景技術
有機電致發(fā)光(Organic Light Emitting Display,OLED)器件具有自發(fā)光、全固態(tài)、驅動電壓低、發(fā)光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬,可實現柔性顯示與大面積全彩顯示等諸多優(yōu)點,被業(yè)界公認為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。
目前小尺寸OLED在手機和車載領域的應用已經全面超越液晶顯示器(LiquidCrystal Display,LCD)屏,未來大尺寸頂發(fā)光高解析度的OLED顯示面板也會全面應用并取代LCD面板;OLED顯示器件的發(fā)光原理為半導體材料和有機發(fā)光材料在電場驅動下,通過載流子注入和復合導致發(fā)光。現有的OLED顯示面板通常包括:薄膜晶體管(Thin FilmTransistor,TFT)基板,設于TFT基板上的陽極、設于陽極,上的有機發(fā)光層,及設于有機發(fā)光層上的陰極因為OLED顯示面板是共陰極的結構;頂發(fā)光OLED的共陰極一般采用透過率高的金屬或者透明氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO);
然而,透過率高的金屬陰極會存在面電阻高的問題,對于大尺寸OLED顯示面板共陰極面電阻高,會存在嚴重的電源電壓降(IR-drop),導致面內亮度均一性差。
發(fā)明內容
本發(fā)明實施例提供一種顯示面板及顯示面板的制備方法,用于解決現有大尺寸OLED顯示面板共陰極面電阻高,會存在嚴重的電源電壓降,導致面內亮度均一性差的技術問題。
為解決上述問題,第一方面,本發(fā)明實施例提供一種顯示面板,所述顯示面板包括:
基板;
像素定義層,設置在所述基板上,所述像素定義層包括間隔設置的輔助電極和像素電極層;
電子傳輸層、設置在所述像素定義層上;
陰極層,設置在所述電子傳輸層上;
有機層,設置在所述陰極層上;
OLED發(fā)光層,設置在所述像素電極層上;
絕緣柱,設置在所述輔助電極上;及
金屬層,設置于所述絕緣柱的第一側;
其中,所述陰極層通過所述金屬層與所述輔助電極電性連接。
在本發(fā)明一些實施例中,所述金屬層的第一端與所述輔助電極連接,所述金屬層的第二端與所述陰極層連接。
在本發(fā)明一些實施例中,所述絕緣柱還包括與所述第一側相對的第二側,所述絕緣柱的第二側設置有所述電子傳輸層和所述有機層。
在本發(fā)明一些實施例中,所述絕緣柱的第一側為遠離所述OLED發(fā)光層的一側,所述絕緣柱的第二側為靠近所述OLED發(fā)光層的一側。
在本發(fā)明一些實施例中,所述絕緣柱遠離所述輔助電極的表面積大于與所述輔助電極連接的表面積,且所述絕緣柱的高度大于所述有機層表面的高度,所述絕緣柱的截面形狀為倒梯形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





