[發明專利]一種高通濾波器的漏電流補償電路

在審

• 申請號: 201911302104.7
• 申請日: 2019-12-17
• 公開（公告）號: CN110932698A
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 李壤中
• 申請（專利權）人: 中晟微電子（南京）有限公司
• 主分類號: H03H11/12
• 分類號: H03H11/12
• 代理公司: 江蘇法德東恒律師事務所 32305
• 代理人: 劉林

本發明公開了一種高通濾波器的漏電流補償電路，包括連接在高通濾波器與后級電路之間的運放單元和驅動管；運放單元兩個輸入端與高通濾波器中的偏置電阻兩端分別對應連接，對偏置電路兩端的壓降進行放大；運放單元的輸出作為驅動管的輸入，用于調整流過驅動管的電流；驅動管與后級電路連接，驅動管與后級電路交互的電流的差額部分反饋流向至偏置電阻，直至流過偏置電阻的電流趨向于零。本發明提出的漏電流補償電路，實現了使用高通濾波器時，在采用較大的電阻和減小的電容情況下，仍能保證電路性能和工作狀態，電容減小，帶來電容本身的寄生容值的減小，提高電路的頻率特性而實現超高頻和高帶寬設計，同時也顯著減小了芯片面積，降低了芯片成本。

技術領域

本發明涉及一種面向無線通信和光通信的集成電路，屬于電路技術領域。

背景技術

在無線通信和光通信領域內，隨著5G技術的發展和應用，要求有更高的載波頻率和信號有用帶寬。在無線領域內，常常把接收到的高頻的有用信號通過變頻得到較低的中頻頻率，以便后端的模數轉換器處理。在集成電路設計中，為避開直流失調的問題，零中頻和低中頻兩種結構是首選，為了濾除接近于直流附近的頻率，通常會用一個高通濾波器來實現。對于高速光通信集成電路設計，通常要求有接近直流到幾十GHz的帶寬，一個片上頻率極低的高通濾波器勢不可少。

芯片上集成高通濾波器，通常有無源電阻和無源電容構成，由于電容所占面積較大而且大電容的寄生電容也大，所以一般采用較大阻值的電阻，但是只要高通濾波器的后級電路存在較大的漏電流，將會在電阻上產生較大的壓降，從而導致后級電路的性能下降甚至不能正常工作。減小電阻值，增大電容，會增加裸芯面積和成本，同時大電容以及電容本身的寄生電容會為前級電路帶來較大的負載，影響電路的高頻特性。

發明內容

發明目的：

本發明提出一種漏電流補償電路，目的是把流過高通濾波器無源電阻的漏電流，由額外的補償電路來供給，從而保證了后級電路的正常工作和整體鏈路的性能。

技術方案：

一種高通濾波器的漏電流補償電路，包括連接在高通濾波器與后級電路之間的運放單元和驅動管；

運放單元兩個輸入端與高通濾波器中的偏置電阻兩端分別對應連接，對偏置電路兩端的壓降進行放大；運放單元的輸出作為驅動管的輸入，用于調整流過驅動管的電流；驅動管與后級電路連接，驅動管與后級電路交互的電流的差額部分反饋流向至偏置電阻，直至流過偏置電阻的電流趨向于零。

進一步地，高通濾波器中的隔直電容對輸入信號進行隔直濾波后連接至運放單元的正相輸入端，運放單元的反相輸入端施加偏置電壓。

進一步地，所述驅動管為三極管或MOS管。

進一步地，所述驅動管為PMOS管、PNP管、NPN管或NMOS管。

進一步地，運放單元的輸出端與驅動管PMOS管的柵極或PNP管的基極連接，驅動管PMOS管的漏極或PNP管的集電極與后級電路連接，驅動管PMOS管的源極或PNP管的發射極接電源。

進一步地，運放單元的輸出端與驅動管NMOS管的柵極或NPN管的基極連接，驅動管NMOS管的漏極或NPN管的集電極與后級電路連接，驅動管NMOS管的源極或NPN管的發射極接地。

進一步地，所述后級電路為有源管。

進一步地，所述后級電路為三極管或MOS管。

進一步地，所述后級電路為NPN管、NMOS管、PMOS管或PNP管。

本發明所達到的有益效果：