[發明專利]一種銅基氟化石墨烯耐蝕薄膜及其原位制備方法與應用

在審

• 申請號: 201911301373.1
• 申請日: 2019-12-17
• 公開（公告）號: CN110904431A
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 趙文杰;吳楊敏;王立平;劉超;方治文;薛群基
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所;山東重山光電材料股份有限公司
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/56;C23C16/02;C23F15/00
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種銅基氟化石墨烯耐蝕薄膜的原位制備方法，其特征在于包括：

提供銅基底并置于化學氣相生長設備的反應室內；

向所述反應室內通入碳源氣體和氫氣，通過化學氣相沉積法在所述銅基底表面生長形成石墨烯層；

之后向所述反應室內通入氟氣和載氣，從而對所述石墨烯層進行原位氟化刻蝕處理，獲得銅基氟化石墨烯耐蝕薄膜，其中進行氟化刻蝕處理時，反應室內的溫度為20～200℃，氟化刻蝕處理的時間為5～100min。

2.根據權利要求1所述的原位制備方法，其特征在于包括：

將銅基底置于所述反應室內并使所述反應室升溫至600～1000℃，保持所述反應室內的壓力為50～80Pa。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述碳源氣體與氫氣的體積比為1:50～1:10；

和/或，所述碳源氣體包括CH₄。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述載氣包括惰性氣體；

和/或，所述氟氣與載氣的體積比為1:20～1:1；

和/或，所述制備方法還包括：先對所述銅基底進行超聲清洗處理，干燥后再置于所述反應室內。

5.權利要求1-4中任一項所述方法制備的銅基氟化石墨烯耐蝕薄膜，其特征在于，所述銅基氟化石墨烯耐蝕薄膜中F元素含量為0-50％。

6.權利要求1所述的銅基氟化石墨烯耐蝕薄膜于基體表面防護領域的用途。