[發明專利]使用移動參考的感測技術

在審

• 申請號: 201911301327.1
• 申請日: 2019-12-17
• 公開（公告）號: CN111383678A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: G·B·雷德;J·F·施雷克
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C8/08
• 分類號: G11C8/08;G11C8/14;G11C7/10
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案針對使用移動參考的感測技術。為了感測存儲器單元(例如，為了感測與所述存儲器單元相關聯的信號)，第一感測組件可以將所述信號與第一參考值進行比較。參考選擇器可以基于所述信號與所述第一參考值的所述比較來選擇第二參考值。第二感測組件可以將所述信號與所述第二參考值進行比較。可以基于所述第一比較和所述第二比較的結果來確定所述存儲器單元的邏輯狀態。

交叉參考

本專利申請案主張Raad等人在2018年12月26日提交的標題為“使用移動參考的感測技術(SENSING TECHNIQUES USING A MOVING REFERENCE)”的美國專利申請案第16/232,317號的優先權，所述美國專利申請案轉讓給本受讓人且以全文引用的方式明確并入本文中。

技術領域

技術領域涉及使用移動參考的感測技術。

背景技術

以下總體上涉及一種包含至少一個存儲器裝置的系統，且更具體地涉及在存儲器單元的讀取操作期間使用移動參考的感測技術。

存儲器裝置廣泛用于在例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等各種電子裝置中存儲信息。通過編程存儲器裝置的不同狀態來存儲信息。例如，二進制裝置最常存儲兩種狀態中的一個，通常用邏輯1或邏輯0表示。在其它裝置中，可存儲多于兩種狀態。為了存取所存儲信息，裝置的組件可在存儲器裝置中讀取或感測至少一個所存儲狀態。為了存儲信息，裝置的組件可在存儲裝置中寫入或編程狀態。

存在各種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)等。存儲器裝置可為易失性或非易失性。易失性存儲器裝置(例如DRAM)可能隨時間丟失其存儲狀態，除非其被外部電源周期性地刷新。

通常，除其它度量外，用于改進存儲器裝置的技術通常還可包含增加存儲器單元密度、增加讀/寫速度、增加可靠性、增加準確性、增加數據保留、降低功耗或降低制造成本。對于經配置以存儲多于兩個狀態的存儲器單元，除其它益處之外，可以使用多個感測組件來增加存儲器單元的讀取操作的準確性、可靠性和/或速度。

發明內容

本發明描述一種方法。所述方法可以包含：在存儲器單元的讀取操作期間使用第一晶體管，在與所述存儲器單元相關聯的數字線和與第一感測組件和第二感測組件耦合的節點之間轉移電荷；通過所述第一感測組件將所述節點處的信號與第一參考值進行比較；至少部分地基于將所述信號與所述第一參考值進行比較來選擇不同于所述第一參考值的第二參考值；通過所述第二感測組件，將所述節點處的所述信號與所述所選擇第二參考值進行比較；及至少部分地基于將所述節點處的所述信號和所述第二參考值進行比較來確定存儲在所述存儲器單元上的邏輯狀態。

本發明描述一種設備。所述設備可以包含：存儲器單元，其與數字線耦合且經配置以存儲三個或多于三個邏輯狀態中的一個；晶體管，其與所述數字線和節點耦合，所述晶體管經配置以在所述存儲器單元的讀取操作期間在所述數字線和所述節點之間轉移電荷；第一感測組件，其與所述節點耦合且經配置以至少部分地基于在所述數字線和所述節點之間轉移的所述電荷，將所述節點處的信號與所述第一參考值進行比較；參考選擇器組件，其與所述第一感測組件耦合且經配置以基于所述節點處的所述信號與所述第一參考值的所述比較來選擇不同于所述第一參考值的第二參考值；及第二感測組件，其與所述節點和所述參考選擇器組件耦合，且經配置為將所述節點處的所述信號與所述所選擇第二參考值進行比較，以確定存儲在所述存儲器單元上的邏輯狀態