[發(fā)明專利]硅鰭片結(jié)構(gòu)的修整方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911301030.5
• 申請(qǐng)日: 2019-12-17
• 公開（公告）號(hào): CN111326411A
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許富翔;宋建宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 許富翔;宋建宏
• 主分類號(hào): H01L21/306
• 分類號(hào): H01L21/306;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京泰吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11355
• 代理人: 張雅軍;史瞳

1.一種硅鰭片結(jié)構(gòu)的修整方法，其特征在于包含以下步驟：

(a)在基材上形成硅鰭片結(jié)構(gòu)；及

(b)使所述硅鰭片結(jié)構(gòu)與極性溶液接觸，以使所述硅鰭片結(jié)構(gòu)的(100)晶面的蝕刻速率與(111)晶面的蝕刻速率的比值范圍不大于2.5、(110)晶面的蝕刻速率與(111)晶面的蝕刻速率的比值范圍不大于2.5，以及(100)晶面的蝕刻速率與(110)晶面的蝕刻速率的比值范圍介于0.9至1.1，所述極性溶液包括四級(jí)銨氫氧化物、水及極性有機(jī)溶劑，所述極性有機(jī)溶劑是選自于二甲基亞砜、環(huán)丁砜、四氫呋喃、N-甲基咯烷酮或上述的任意組合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鰭片結(jié)構(gòu)的修整方法，其特征在于，所述四級(jí)銨氫氧化物是選自于四甲基銨氫氧化物、四乙基銨氫氧化物、四丁基銨氫氧化物、芐基三甲基銨氫氧化物或上述的任意組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鰭片結(jié)構(gòu)的修整方法，其特征在于，所述極性溶液還包括陽離子界面活性劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅鰭片結(jié)構(gòu)的修整方法，其特征在于，所述陽離子界面活性劑是選自于四級(jí)氯化物、聚乙二醇的銨鹽或上述的任意組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅鰭片結(jié)構(gòu)的修整方法，其特征在于，以所述極性溶液的總量為100wt％，所述陽離子界面活性劑的含量比例范圍為0.01wt％至2wt％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鰭片結(jié)構(gòu)的修整方法，其特征在于，以所述極性溶液的總量為100wt％，所述四級(jí)銨氫氧化物的含量比例范圍為0.1wt％至5wt％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅鰭片結(jié)構(gòu)的修整方法，其特征在于，以所述極性溶液的總量為100wt％，所述極性有機(jī)溶劑的含量比例范圍為5wt％至90wt％。