[發(fā)明專利]成膜裝置以及使用了該成膜裝置的金屬膜的形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911300780.0
• 申請日: 2019-12-17
• 公開（公告）號: CN111334840A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 飯坂浩文
• 申請（專利權(quán)）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: C25D17/00
• 分類號: C25D17/00;C25D17/10;C25D21/02;C25D3/32;C25D3/12
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 周宏志;張青

1.一種成膜裝置，用于形成金屬膜，其中，

所述成膜裝置具有：

陽極；

陰極；

多孔膜，其以能夠與所述陰極接觸的方式設(shè)置在所述陽極與所述陰極之間；

溶液收容部，其在所述陽極與所述多孔膜之間劃分出溶液收容空間；以及

電源部，其向所述陽極與所述陰極之間施加電壓，

所述多孔膜由不具有離子交換性官能團(tuán)的聚烯烴鏈構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其中，

所述多孔膜的孔隙直徑在20nm～2000nm的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜裝置，其中，

所述多孔膜的透氣度在5s/100cm³～500s/100cm³的范圍內(nèi)。

4.一種金屬膜的形成方法，形成金屬的膜，其中，

所述金屬膜的形成方法包含如下步驟，即：

在權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的成膜裝置中，以包含所述金屬的離子的電解液充滿溶液收容空間，在多孔膜與陰極接觸的狀態(tài)下，向陽極與陰極之間施加電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬膜的形成方法，其中，

所述金屬的標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電位為負(fù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的金屬膜的形成方法，其中，

還包含使乙醇含浸于所述多孔膜的步驟，

一邊對所述多孔膜進(jìn)行加熱，一邊向所述陽極與所述陰極之間施加所述電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求4～6中任一項(xiàng)所述的金屬膜的形成方法，其中，

所述金屬為錫或者鎳。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的金屬膜的形成方法，其中，

所述金屬為錫，所述電解液含有甲磺酸。