[發(fā)明專利]一種過共晶鋁硅合金中初生硅的分離方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911299779.0 | 申請日: | 2019-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN110965120A | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金青林;王順金;王棟棟;劉恩典 | 申請(專利權(quán))人: | 昆明理工大學(xué) |
| 主分類號: | C30B28/08 | 分類號: | C30B28/08;C30B29/06 |
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| 地址: | 650093 云*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 共晶鋁硅 合金 初生 分離 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種過共晶鋁硅合金中初生硅的分離方法,其采用感應(yīng)加熱區(qū)域熔煉工藝,對鋁硅合金進(jìn)行熔化和凝固,實(shí)現(xiàn)初生硅在試樣底部的富集,達(dá)到高效分離的目的;具體為采用工業(yè)硅和工業(yè)鋁為原料,制備鋁硅合金鑄錠,采用區(qū)域熔煉工藝對鑄錠進(jìn)行感應(yīng)加熱區(qū)域熔煉。區(qū)熔結(jié)束后取出試樣,截取試樣底部的初生硅富集部分進(jìn)行酸洗便可回收高純硅。本方法解決了合金凝固精煉過程中初生硅從熔體中分離難、分離效率不高的問題,能實(shí)現(xiàn)鋁硅合金中初生硅的高效分離,試樣的直徑和長度可隨實(shí)際情況擴(kuò)大或延長,適用于規(guī)模化生產(chǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于冶金法制備太陽能級多晶硅技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種采用區(qū)域熔煉工藝對過共晶鋁硅合金中初生硅進(jìn)行分離的方法。
背景技術(shù)
太陽能級多晶硅是硅太陽能電池的主要原料,其制備工藝一直是太陽能領(lǐng)域的研究重點(diǎn)。在冶金硅提純制備太陽能級多晶硅的眾多方法中,Al-Si合金凝固精煉法因具有熔煉溫度低、除雜效率高等優(yōu)點(diǎn),而受到了廣泛關(guān)注。但是固態(tài)Al-Si合金中初生硅是彌散分布的,硅的回收難,回收效率不高。如何分離及提高初生硅的回收效率,是合金凝固精煉法亟待解決的問題。目前采用感應(yīng)加熱固定交變磁場,旋轉(zhuǎn)磁場,超重力等技術(shù)從Al-Si合金中分離硅,硅的富集能有利于后續(xù)的回收并且還能降低酸用量。這些技術(shù)在實(shí)驗室規(guī)模取得了成功,但是難以實(shí)現(xiàn)連續(xù)的量化生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本發(fā)明提供了一種過共晶鋁硅合金中初生硅的分離方法,解決了合金凝固精煉過程中初生硅從熔體中分離難、分離效率不高的問題。
本發(fā)明采用區(qū)域熔煉工藝對Al和Si進(jìn)行分離;因為Al和Si在液相中無限互溶,而Al在固態(tài)Si中的溶解度幾乎為零,因此理論上能夠通過區(qū)熔實(shí)現(xiàn)初生硅和鋁的分離;當(dāng)熔體溫度達(dá)到共晶溫度時,過共晶成分的鋁硅合金可以分離為初生硅和共晶硅熔體;因此控制區(qū)域熔煉的工藝參數(shù),就能實(shí)現(xiàn)硅從共晶熔體中分離,從而實(shí)現(xiàn)提高初生硅回收率的目的;另外,感應(yīng)加熱區(qū)域熔煉工藝具有工藝簡單,設(shè)備要求低,試樣的直徑和長度可按實(shí)際情況擴(kuò)大或延長等優(yōu)點(diǎn),易實(shí)現(xiàn)規(guī)模量化生產(chǎn)。
本發(fā)明方法通過感應(yīng)加熱區(qū)域熔煉實(shí)現(xiàn),通過控制區(qū)熔速度和熔煉次數(shù)等條件實(shí)現(xiàn)初生硅的高效富集,具有工藝簡單,設(shè)備要求低,試樣可延長等優(yōu)點(diǎn),易實(shí)現(xiàn)規(guī)模量化生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。
所述從過共晶鋁硅合金中分離初生硅的方法,步驟如下:
(1)將工業(yè)鋁和工業(yè)硅在感應(yīng)電爐中熔化為鋁硅合金溶液,鋁硅合金溶液中硅的質(zhì)量百分含量為30%-80%,將鋁硅合金溶液并澆鑄為圓柱狀鑄錠;
(2)將圓柱狀鑄錠置于石墨坩堝中,進(jìn)行感應(yīng)加熱區(qū)域熔煉;感應(yīng)加熱區(qū)域熔煉真空度小于10Pa,區(qū)域熔煉溫度控制在800℃-1350℃,區(qū)熔速度控制在1mm/min-10mm/min;
(3)區(qū)域熔煉結(jié)束后,從試樣底部截取初生硅富集部分,用3-6mol/L HCl去除硅晶體間的鋁基體,回收初生硅;初生硅用去離子水沖洗至溶液呈中性,干燥后研磨至粒徑小于50μm,再用濃鹽酸和濃硝酸的混合溶液清洗6-12h;采用去離子水清洗硅粉,直至溶液呈中性,過濾收集,干燥后得到高純度硅粉。
所述圓柱狀鑄錠的直徑為10-100mm。
所述濃鹽酸和濃硝酸的混合溶液中濃鹽酸:濃硝酸體積比為3:1。
步驟(2)中感應(yīng)加熱區(qū)域熔煉可以重復(fù)一次以上。
本發(fā)明的有益效果是:
(1)本發(fā)明采用區(qū)域熔煉工藝,提高了鋁硅合金熔體中初生硅的分離效率;
(2)本發(fā)明提出的感應(yīng)加熱區(qū)域熔煉具有工藝簡單,設(shè)備要求低,試樣可延長等優(yōu)點(diǎn),易實(shí)現(xiàn)規(guī)模量化生產(chǎn)。
附圖說明
圖1為實(shí)施例1制備的鋁硅合金鑄錠的縱截面形貌;
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