[發明專利]一種用于催化析氫的涂層電極及其制備方法在審
| 申請號： | 201911299175.6 | 申請日： | 2019-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN111041520A | 公開（公告）日： | 2020-04-21 |
| 發明（設計）人： | 陳君 | 申請（專利權）人： | 寧波涂冠鍍膜科技有限公司 |
| 主分類號： | C25B11/06 | 分類號： | C25B11/06;C25B11/10;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58;C25B1/04 |
| 代理公司： | 蘇州謹和知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 葉棟 |
| 地址： | 315000 浙江省寧*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 催化 涂層 電極 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于催化析氫的涂層電極，其特征在于，所述用于催化析氫的涂層電極包括Ti基底、以及設置在所述Ti基底表面的(W,Fe)C-P涂層。
2.如權利要求1所述的用于催化析氫的涂層電極，其特征在于，所述(W,Fe)C-P涂層包括(W,Fe)C涂層和嵌入在所述(W,Fe)C涂層內的P元素。
3.如權利要求2所述的用于催化析氫的涂層電極，其特征在于，所述的(W,Fe)C涂層厚度為3um-6um。
4.一種用以制備權利要求1至3項中任一項所述的用于催化析氫的涂層電極的制備方法，其特征在于，所述制備方法如下：
S1、提供Ti基底，將所述Ti基底表面粗糙化；
S2、在所述Ti基底表面沉積(W,Fe)C涂層；
S3、在所述(W,Fe)C涂層磷化處理，獲得(W,Fe)C-P涂層。
5.如權利要求4所述的用于催化析氫的涂層電極的制備方法，其特征在于，所述粗糙化為將所述Ti基底放入苦味酸中加熱30min以對其表面進行刻蝕。
6.如權利要求4所述的用于催化析氫的涂層電極的制備方法，其特征在于，所述(W,Fe)C涂層由磁控濺射技術沉積制備形成。
7.如權利要求6所述的用于催化析氫的涂層電極的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射技術使用的W靶和Fe靶，反應氣體為C2H2。
8.如權利要求7所述的用于催化析氫的涂層電極的制備方法，其特征在于，在沉積所述(W,Fe)C涂層之前，所述涂層電極的制備方法還包括將Ti基底、W靶和Fe靶進行清洗和烘干的前處理。
9.如權利要求8所述的用于催化析氫的涂層電極的制備方法，其特征在于，對Ti基底進行清洗和烘干的前處理后，所述涂層電極的制備方法還包括由離子轟擊清潔所述Ti基底并活化所述Ti基底上的原子。
10.如權利要求4所述的用于催化析氫的涂層電極的制備方法，其特征在于，所述磷化處理使用的磷源為亞磷酸鈉。
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