[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 201911298198.5 | 申請日: | 2019-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN111384117A | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發明(設計)人: | 金治完;金泰憲;申晟義;李用雨;柳輕烈;高有善;張勇均 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 劉久亮;黃綸偉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,該顯示裝置包括:
觸摸面板;
顯示面板,所述顯示面板在所述觸摸面板下方并顯示圖像;
壓電元件,所述壓電元件在所述觸摸面板下方,并包括上電極、下電極和壓電層;以及
整流電路,所述整流電路連接到所述壓電元件。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述壓電元件被設置在所述觸摸面板和所述顯示面板之間。
3.根據權利要求1所述的顯示裝置,該顯示裝置還包括偏振片,所述偏振片在所述觸摸面板上或者在所述壓電元件和所述顯示面板之間。
4.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述壓電層包括壓電聚合物。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中,所述壓電聚合物包括聚偏二氟乙烯PVDF、偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物P(VDF-TrFE)、偏二氟乙烯-三氟乙烯-氯氟乙烯共聚物P(VDF-TrFE-CFE)、偏二氟乙烯-三氟乙烯-氯三氟乙烯共聚物P(VDF-TrFE-CTFE)、摻雜有碳納米管的PVDF、或磷腈基聚合物。
6.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述顯示面板包括:基板,在所述基板中限定有顯示區域和非顯示區域;以及在所述基板上的所述顯示區域中形成的薄膜晶體管和發光二極管,并且
其中,所述整流電路形成在所述基板上的所述非顯示區域中。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中,所述上電極和所述下電極中的每一個在所述非顯示區域中具有突起,并且所述下電極的突起和所述上電極的突起彼此間隔開并且電連接至形成在所述非顯示區域中的所述整流電路。
8.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中,所述整流電路包括具有陽極、陰極、P型半導體和N型半導體的二極管,所述陽極和所述陰極由與所述薄膜晶體管的柵極或者源極和漏極相同的材料形成在相同的層中,并且所述P型半導體和所述N型半導體中的一個由與所述薄膜晶體管的半導體層相同的材料形成在相同的層中。
9.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述顯示面板被設置在所述觸摸面板和所述壓電元件之間。
10.根據權利要求9所述的顯示裝置,其中,所述壓電元件還包括在所述顯示面板和所述下電極之間的基膜,并且所述整流電路形成在所述基膜上。
11.根據權利要求9所述的顯示裝置,其中,所述壓電層包括壓電聚合物、壓電陶瓷或包括壓電陶瓷和聚合物的有機-無機復合物。
12.根據權利要求1至11中任一項所述的顯示裝置,其中,所述壓電元件還包括在所述下電極下方的第一緩沖層和在所述上電極上的第二緩沖層。
13.根據權利要求12所述的顯示裝置,其中,所述第二緩沖層具有比所述下電極和所述上電極中的每一個更大的面積。
14.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述下電極和所述上電極中的每一個被配置為相對于所述顯示面板的整個表面的一個或更多個圖案。
15.根據權利要求14所述的顯示裝置,其中,所述整流電路的數量對應于所述下電極和所述上電極中的每一個的圖案的數量。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于樂金顯示有限公司,未經樂金顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911298198.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





