[發明專利]磁盤裝置以及磁盤裝置的控制方法

在審

• 申請號: 201911297485.4
• 申請日: 2019-12-17
• 公開（公告）號: CN112447192A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 山崎雄一郎;小林拓也;市原一人
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: G11B5/012
• 分類號: G11B5/012;G11B19/04;G11B20/10
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 李智;段承恩

1.一種磁盤裝置，具備：

盤，其具有第1磁道和與所述第1磁道相鄰的第2磁道；

頭，其在所述盤的半徑方向上對與所述第1磁道相鄰的所述第2磁道寫入數據；

存儲器，其具有能夠在所述半徑方向上從所述第2磁道的磁道中央向所述第1磁道側偏移地進行寫入的次數的第1上限值；以及

控制器，其在對所述第2磁道進行了寫入的寫入次數達到所述第1上限值之前對所述第1磁道進行重寫。

2.根據權利要求1所述的磁盤裝置，

所述控制器在所述寫入次數達到所述第1上限值中的、能夠從所述磁道中央向所述第1磁道側偏移不會擦除所述第1磁道的最大偏移量地進行寫入的次數的第2上限值之前對所述第1磁道進行重寫。

3.根據權利要求2所述的磁盤裝置，

所述頭能夠從所述第1磁道或者所述第2磁道讀取數據，

所述控制器在對從所述磁道中央向所述第1磁道側離開了第1距離的第1半徑位置進行了寫入之后進行了讀取的所述第1磁道中發生了讀取錯誤的情況下，對從所述磁道中央向所述第1磁道側離開了比所述第1距離短的第2距離的第2半徑位置進行寫入，在對所述第2半徑位置進行了寫入之后進行了讀取的所述第1磁道不發生讀取錯誤的情況下，將所述第2距離設定為所述第2磁道的最大偏移量。

4.根據權利要求1所述的磁盤裝置，

所述頭能夠從所述第1磁道或者所述第2磁道讀取數據，

所述控制器在對從所述磁道中央向所述第1磁道側離開了第1距離的第1半徑位置反復進行了寫入直到所述寫入次數成為第1值時、所述第1磁道的第1錯誤率達到了在所述第1磁道不發生讀取錯誤的錯誤率的第3上限值的情況下，將所述第1值設定為所述第1上限值。

5.根據權利要求1所述的磁盤裝置，

所述頭能夠從所述第1磁道或者所述第2磁道讀取數據，

所述控制器基于對從所述磁道中央向所述第1磁道側離開了第1距離的第1半徑位置進行了寫入直到所述寫入次數成為第1值時的所述第1磁道的第1錯誤率、所述第1值、對從所述磁道中央向所述第1磁道側離開了第2距離的第2半徑位置進行了寫入直到所述寫入次數成為第2值時的所述第1磁道的第2錯誤率、所述第2值以及在所述第1磁道不發生讀取錯誤的錯誤率的第3上限值，算出所述第1上限值。

6.根據權利要求1所述的磁盤裝置，

所述頭能夠從所述第1磁道或者所述第2磁道讀取數據，

所述控制器基于在所述第2磁道中一邊在所述半徑方向上變動一邊進行了寫入直到所述寫入次數成為第1值時的所述第1磁道的第1錯誤率、所述第1值、在所述第2磁道中一邊在所述半徑方向上變動一邊進行了寫入直到所述寫入次數成為第2值時的所述第1磁道的第2錯誤率、所述第2值以及在所述第1磁道不發生讀取錯誤的錯誤率的第3上限值，算出所述第1上限值。

7.根據權利要求6所述的磁盤裝置，

所述控制器在所述第2磁道中一邊基于正態分布而在所述半徑方向上變動一邊進行寫入。

8.根據權利要求1所述的磁盤裝置，

所述控制器對磁道偏移次數進行計數，基于所述磁道偏移次數來修正所述第1上限值，所述磁道偏移次數是對在所述第2磁道中在所述半徑方向上偏移了的次數賦予了權重而得到的。

9.一種磁盤裝置的控制方法，應用于具備盤、頭以及存儲器的磁盤裝置，所述頭對所述盤寫入數據、從所述盤讀取數據，所述存儲器具有能夠從所述盤的與第1磁道在所述盤的半徑方向上相鄰的第2磁道的磁道中央向所述第1磁道側偏移地進行寫入的次數的第1上限值，

所述控制方法，

在對所述第2磁道進行了寫入的寫入次數達到所述第1上限值之前對所述第1磁道進行重寫。