[發明專利]通孔結構的制備方法以及三維存儲器的制備方法

在審

• 申請號: 201911296397.2
• 申請日: 2019-12-16
• 公開（公告）號: CN110707009A
• 公開（公告）日: 2020-01-17
• 發明（設計）人: 霍宗亮;姚蘭;楊號號;高晶;周文斌
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L27/115
• 代理公司: 11270 北京派特恩知識產權代理有限公司
• 代理人: 高潔;張穎玲

1.一種通孔結構的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底結構，所述基底結構包括第一堆疊層；

刻蝕所述第一堆疊層，形成第一通孔；

在所述第一通孔底部形成外延生長層；

在所述第一通孔內形成刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層至少覆蓋所述外延生長層的表面；

在所述第一通孔內形成填充結構；

在所述第一堆疊層上形成第二堆疊層；

刻蝕所述第二堆疊層，形成連通所述第一通孔的第二通孔；

刻蝕以去除所述第一通孔內的所述填充結構；

其中，所述刻蝕阻擋層的材料與以下任意之一的材料之間的刻蝕選擇比滿足刻蝕阻擋要求：所述第二堆疊層、所述填充結構、所述填充結構的氧化層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料包括金屬化合物。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材料包括TiN。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一通孔內形成刻蝕阻擋層，包括：

在所述第一通孔內形成覆蓋所述外延生長層的表面以及所述第一通孔的側壁的刻蝕阻擋層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層采用原子層沉積工藝形成。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的厚度范圍為5-60nm。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蝕以去除所述第一通孔內的所述填充結構后，所述方法還包括：去除所述刻蝕阻擋層。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕所述第二堆疊層采用干法刻蝕工藝執行；所述刻蝕阻擋層的材料與所述第二堆疊層的材料之間在所述干法刻蝕工藝中的刻蝕選擇比滿足刻蝕阻擋要求。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕以去除所述第一通孔內的所述填充結構采用濕法刻蝕工藝執行；所述刻蝕阻擋層的材料與所述填充結構的材料及所述填充結構的氧化層的材料之間在所述濕法刻蝕工藝中的刻蝕選擇比滿足刻蝕阻擋要求。

10.一種三維存儲器的制備方法，其特征在于，所述方法包括權利要求1至9中任意一項所述方法中的步驟；其中，

所述第一通孔與第二通孔共同構成所述三維存儲器的溝道通孔。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二堆疊層的材料包括氧化硅和氮化硅，所述填充結構的材料包括多晶硅，所述填充結構的氧化層的材料包括氧化硅。