[發明專利]封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201911296304.6
• 申請日: 2019-12-16
• 公開（公告）號: CN112992840A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 王純敏;林溥如;柯正達
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張琳

一種封裝結構，包括線路重布結構、晶片、內導電強化元件及保護層。線路重布結構包括第一線路層及設置于第一線路層之上的第二線路層。第一線路層電性連接第二線路層。晶片設置于線路重布結構上，并電性連接第二線路層。內導電強化元件設置于線路重布結構上。內導電強化元件具有30～200GPa的楊氏模數。保護層覆蓋晶片及內導電強化元件的開口側壁。在此揭露的封裝結構具有足夠的機械強度，不易有翹曲現象的發生。

技術領域

本發明是關于一種封裝結構，以及關于一種封裝結構的制造方法。

背景技術

傳統上，晶片封裝結構包括基板、位于基板上的晶片及覆蓋晶片的封裝材料層。由于基板、晶片及封裝材料層的熱膨脹系數差異大，當執行熱制造過程以形成晶片及封裝材料層于基板上時，晶片封裝結構經常嚴重翹曲。因此，降低了晶片封裝結構安裝在印刷電路板上的良率。

另一方面，當欲形成一封裝結構形成于另一封裝結構上的堆迭式封裝結構(package-on-package，POP)時，翹曲現象亦導致制造過程上的困難。

發明內容

本發明的一些實施方式是提供一種封裝結構，包括線路重布結構、晶片、至少一個內導電強化元件、及第一保護層。線路重布結構包括第一線路層及設置于第一線路層之上的第二線路層，其中第一線路層電性連接第二線路層。晶片設置于線路重布結構上，并電性連接第二線路層。內導電強化元件設置于線路重布結構上。內導電強化元件包括強化層及導電連接件。強化層具有30～200GPa的楊氏模數(Young's modulus)，且強化層具有通孔。導電連接件設置于通孔中。導電連接件的頂部及底部暴露于強化層外，且電性連接第二線路層。第一保護層覆蓋晶片。

在一些實施方式中，第一保護層覆蓋內導電強化元件的開口側壁。

在一些實施方式中，內導電強化元件圍繞晶片。

在一些實施方式中，強化層包括但不限于雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、環氧樹脂、玻璃或陶瓷。

在一些實施方式中，內導電強化元件的上表面及第一保護層的上表面共平面。

在一些實施方式中，封裝結構更包含導電件設置在導電連接件的底部，且電性連接第二線路層。

在一些實施方式中，封裝結構更包含電子元件設置于第一保護層之上，并電性連接導電連接件的頂部。

在一些實施方式中，封裝結構進一步包括基板結構及第二保護層。基板結構設置于第一保護層與電子元件之間，且電子元件通過基板結構電性連接至導電連接件的頂部。第二保護層覆蓋電子元件。

在一些實施方式中，封裝結構更包含第一保護層填充于晶片與第二線路重布層之間的間隙。

在一些實施方式中，第一保護層填充于內導電強化元件部分底面與第二線路重布層之間的間隙。

本發明的一些實施方式另提供一種封裝結構的制造方法，包括下列操作：(i)提供線路重布結構，其中線路重布結構包括第一線路層及設置于第一線路層之上的第二線路層，且第一線路層電性連接第二線路層；(ii)形成至少一個內導電強化元件于線路重布結構上，其中內導電強化元件包括：強化層，具有30～200GPa的楊氏模數，其中強化層具有通孔；以及導電連接件，設置于通孔中，其中導電連接件的頂部及底部暴露于強化層外，且電性連接第二線路層；(iii)設置晶片于線路重布結構上，其中晶片電性連接第二線路層；以及(iv)形成第一保護層覆蓋晶片及內導電強化元件。

在一些實施方式中，操作(ii)包括下列步驟：(a)提供基板，其中基板具有30～200GPa的楊氏模數；(b)對基板進行鉆孔制造過程，以形成具有通孔的強化層；(c)形成導電連接件于通孔中以形成內導電強化元件；以及(d)設置內導電強化元件于線路重布結構上。