[發明專利]一種抽氣裝置、抽氣方法以及多腔等離子體處理器在審
| 申請號: | 201911296056.5 | 申請日: | 2019-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN112992718A | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發明(設計)人: | 倪圖強;左濤濤;吳狄;王凱麟;黃秋平 | 申請(專利權)人: | 中微半導體設備(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 郭化雨 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 裝置 方法 以及 等離子體 處理器 | ||
本申請實施例提供了一種抽氣裝置、抽氣方法以及多腔等離子體處理器,抽氣裝置包括:真空泵、擺閥、混合腔以及混合腔中的分隔部件,分隔部件將混合腔分為多個子腔體,每一個子腔體分別連接一個待處理腔體,擺閥連接混合腔和真空泵,擺閥包括閥板和擺閥主體,分隔部件與擺閥連接,在擺閥具有擺閥開口時,分隔部件將擺閥開口分為多個子開口,每一個子開口分別正對一個子腔體,擺閥開口由閥板相對于擺閥主體的旋轉形成,分隔部件的形狀根據閥板的旋轉路徑確定。該裝置根據閥板的旋轉路徑確定分隔部件的形狀,從而確定擺閥開口中與子腔體正對的子開口的面積,進而利用真空泵為與子腔體連接的待處理腔體提供低氣壓,提高腔體環境的穩定性。
技術領域
本申請涉及半導體器件制造領域,尤其涉及一種抽氣裝置、抽氣方法以及多腔等離子體處理器。
背景技術
在半導體器件的制備過程中,可以在真空環境下對器件進行處理,例如半導體器件中薄膜的形成、對薄膜的等離子體刻蝕等,因此對半導體器件進行處理時,半導體器件可以置于腔體中,腔體通常會連接抽氣裝置而實現真空,從而為半導體器件提供真空環境。
目前,可以為多個腔體配置一套抽氣裝置,從而同時為多個腔體提供真空環境,具體的,多個腔體可以分別與中空的混合腔連接,混合腔連接擺閥,擺閥與真空泵連接,在擺閥具有一定開度時,真空泵可以為混合腔提供低氣壓,多個腔體中的空氣、反應廢棄、帶電粒子等流向低壓的混合腔,這樣,多個腔體中的氣壓隨之降低。
然而這種降低多個腔體的方法中,多個腔體中的氣體流向低壓的混合區域,可能會由于熱運動而產生互竄,導致腔體內的氣體氛圍以及氣壓狀態受其他腔體的影響,這樣不利于腔體環境的穩定,影響該腔體內進行的半導體器件處理質量。
發明內容
有鑒于此,本申請實施例提供了一種抽氣方法及裝置,能夠提供穩定的腔體環境,提高腔體內進行的半導體器件的處理質量。
一種抽氣裝置,其特征在于,包括:真空泵、擺閥、混合腔以及所述混合腔中的分隔部件;
所述分隔部件將所述混合腔分為多個子腔體,所述多個子腔體用于分別連接多個待處理腔體;
所述擺閥連接所述混合腔和所述真空泵;所述擺閥包括閥板和擺閥主體;
所述分隔部件與所述擺閥連接,在所述擺閥具有擺閥開口時,所述分隔部件將所述擺閥開口分為多個子開口,所述多個子開口分別正對所述多個子腔體;所述擺閥開口由所述閥板相對于所述擺閥主體的旋轉形成,所述分隔部件的形狀根據所述閥板的旋轉路徑確定。
可選的,對應于所述擺閥開口的多個面積,所述多個子開口之間的面積差異小于或等于預設值。
可選的,所述預設值小于或等于10%。
可選的,多個子腔體、所述子開口和所述待處理腔體的數量為2,所述分隔部件為擋板。
可選的,所述擋板在垂直所述擺閥開口所在平面的平面內呈現為直線、曲線或折線。
可選的,所述分隔部件在與所述擺閥連接的平面內的形狀根據所述閥板的旋轉路徑確定。
可選的,所述分隔部件在與所述擺閥連接的平面內呈現為曲線,所述曲線為以所述閥板的旋轉中心為圓心、以所述旋轉中心與所述擺閥中心的距離為半徑的圓弧。
可選的,所述分隔部件在與所述擺閥連接的平面內呈現為折線,形成所述折線的各個線段與所述閥板的旋轉中心的距離一致,所述折線經過所述擺閥中心。
可選的,所述分隔部件在與所述擺閥連接的平面內呈現為直線,所述直線經過擺閥中心且與所述擺閥中心與所述閥板的旋轉中心的連線垂直。
可選的,所述擺閥開口的面積基于所述待處理腔體的氣壓要求確定。
一種抽氣方法,其特征在于,利用如上述的抽氣裝置,所述方法包括:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





