[發(fā)明專(zhuān)利]駐極體薄膜、制備方法、用途和空氣凈化裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911295909.3
• 申請(qǐng)日: 2019-12-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111019233A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁伊可;藍(lán)文權(quán);黃祿英;俞劍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江金海環(huán)境技術(shù)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C08L23/12
• 分類(lèi)號(hào): C08L23/12;C08K3/22;C08K3/26;C08K3/38;C08K5/524;C08K13/02;C08J5/18;B29D7/01;F24F3/16;F24F13/28
• 代理公司: 北京匯思誠(chéng)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444
• 代理人: 馮偉

1.一種駐極體薄膜，其特征在于，主要由以下原料制備而成：

第一聚合物和駐極母粒，其中，所述駐極母粒的重量含量為2～10％；

所述駐極母粒包括以下重量份組分：

無(wú)機(jī)駐極添加劑1～20份、有機(jī)駐極添加劑5～50份和第二聚合物40～90份。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的駐極體薄膜，其特征在于，所述駐極母粒的重量含量為3～8％，優(yōu)選為5～6％；

優(yōu)選地，所述駐極母粒包括以下重量份組分：

無(wú)機(jī)駐極添加劑5～10份、有機(jī)駐極添加劑10～40份和第二聚合物50～85份；

優(yōu)選地，所述駐極母粒包括以下重量份組分：

無(wú)機(jī)駐極添加劑6～10份、有機(jī)駐極添加劑15～30份和第二聚合物60～75份。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的駐極體薄膜，其特征在于，所述第一聚合物和所述第二聚合物各自獨(dú)立地包括聚烯烴、聚酯、聚酰胺、氟化聚合物或聚氯乙烯中的至少一種；

優(yōu)選地，所述第一聚合物和所述第二聚合物各自獨(dú)立地包括聚乙烯、聚丙烯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、環(huán)烯烴共聚物、尼龍或氟化乙烯丙烯共聚物中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的駐極體薄膜，其特征在于，所述無(wú)機(jī)駐極添加劑包括無(wú)機(jī)納米材料；

優(yōu)選地，所述無(wú)機(jī)納米材料的粒徑為20～100nm，優(yōu)選為20～50nm；

優(yōu)選地，所述無(wú)機(jī)納米材料包括納米活性二氧化硅、納米電氣石、納米活性二氧化鈦、納米活性鈦酸鋇或納米活性碳酸鈣中的一種或多種；

優(yōu)選地，所述有機(jī)駐極添加劑包括酯類(lèi)、有機(jī)胺類(lèi)、聚烯烴蠟、棕櫚酸鋁、硬脂酸鹽或取代芳基羧酸鋁鹽中的一種或多種；

優(yōu)選地，所述有機(jī)駐極添加劑包括亞磷酸酯、季戊四醇酯、受阻胺、乙撐雙硬脂酰胺、聚乙烯蠟、棕櫚酸鋁、硬脂酸鹽或取代芳基羧酸鋁鹽中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的駐極體薄膜，其特征在于，所述駐極體薄膜的厚度為0.05～0.30mm，優(yōu)選為0.10～0.20mm；

優(yōu)選地，所述駐極體薄膜至少部分地包括凹凸表面；

優(yōu)選地，所述駐極體薄膜表面具有均勻的凹凸結(jié)構(gòu)；

優(yōu)選地，所述駐極體薄膜的結(jié)晶度不低于50％。

6.一種權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的駐極體薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

用包含第一聚合物和駐極母粒混合物制作基礎(chǔ)薄膜；

將基礎(chǔ)薄膜進(jìn)行駐極處理，得到駐極體薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的駐極體薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括在將基礎(chǔ)薄膜進(jìn)行駐極處理之前，對(duì)基礎(chǔ)薄膜進(jìn)行表面粗糙處理；

優(yōu)選地，將基礎(chǔ)薄膜勻速通過(guò)表面粗糙處理設(shè)備，以增加基礎(chǔ)薄膜的表面粗糙度；

優(yōu)選地，所述表面粗糙處理設(shè)備包括印花輥；

優(yōu)選地，經(jīng)表面粗糙處理后得到的基礎(chǔ)薄膜的表面具有均勻的凹凸結(jié)構(gòu)；

優(yōu)選地，所述方法包括在將基礎(chǔ)薄膜進(jìn)行駐極處理之前，對(duì)基礎(chǔ)薄膜進(jìn)行重結(jié)晶處理；

優(yōu)選地，所述方法包括在將基礎(chǔ)薄膜進(jìn)行駐極處理之前，先對(duì)基礎(chǔ)薄膜進(jìn)行表面粗糙處理，再對(duì)基礎(chǔ)薄膜進(jìn)行重結(jié)晶處理；

優(yōu)選地，重結(jié)晶處理的溫度為80～200℃；

重結(jié)晶處理的時(shí)間為2～6h，優(yōu)選為3～5h；

優(yōu)選地，經(jīng)重結(jié)晶處理后得到的基礎(chǔ)薄膜的結(jié)晶度不低于50％。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的駐極體薄膜的制備方法，其特征在于，駐極處理的條件包括：駐極電壓為20～150kV；

駐極距離為5～20cm，優(yōu)選為10～15cm；

駐極速度為1～10m/min，優(yōu)選為5～10m/min；

優(yōu)選地，駐極處理過(guò)程中對(duì)基礎(chǔ)薄膜進(jìn)行加熱，加熱的溫度為50～100℃；

優(yōu)選地，所述方法還包括：將無(wú)機(jī)駐極添加劑、有機(jī)駐極添加劑與第二聚合物混合，擠出造粒，得到駐極母粒；

將駐極母粒與第一聚合物混合，擠出，得到基礎(chǔ)薄膜；

優(yōu)選地，擠出造粒的溫度為180～240℃；

優(yōu)選地，擠出溫度為180～240℃。