[發明專利]一種下電極組件,其安裝方法及等離子體處理裝置有效
| 申請號: | 201911294435.0 | 申請日: | 2019-12-16 |
| 公開(公告)號: | CN112992631B | 公開(公告)日: | 2023-09-29 |
| 發明(設計)人: | 趙函一;黃國民;倪圖強 | 申請(專利權)人: | 中微半導體設備(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/02 | 分類號: | H01J37/02;H01J37/20;H01J37/305 |
| 代理公司: | 上海元好知識產權代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯瓊;張靜潔 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電極 組件 安裝 方法 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種下電極組件,用于承載待處理基片,包括一基座,位于基座上方的靜電夾盤以及環繞所述基座和靜電夾盤的邊緣環組件,其特征在于,所述邊緣環組件包括:
聚焦環,環繞所述基片和靜電夾盤設置;
介電套筒,環繞所述基座設置,所述介電套筒與所述基座之間設有一縫隙;
介電環,位于所述聚焦環下方,環繞所述介電套筒設置;
保護環,位于所述聚焦環與所述靜電夾盤之間,所述保護環為耐等離子體腐蝕材料;
所述縫隙內設有彈性材料層。
2.如權利要求1所述的下電極組件,其特征在于:所述基座與所述靜電夾盤的連接面外圍環繞設置一環形凹陷槽,所述保護環位于所述凹陷槽內。
3.如權利要求2所述的下電極組件,其特征在于:所述保護環的徑向寬度大于所述環形凹陷槽的凹陷深度,以填充所述聚焦環與所述靜電夾盤之間的縫隙。
4.如權利要求1所述的下電極組件,其特征在于:所述保護環為高分子材料。
5.如權利要求1所述的下電極組件,其特征在于:所述保護環為硬質橡膠或環氧基樹脂。
6.如權利要求1所述的下電極組件,其特征在于:所述保護環下方設置一下保護環,所述下保護環與所述彈性材料層的材質相同。
7.如權利要求6所述的下電極組件,其特征在于:所述下保護環和所述彈性材料層材質為硅膠。
8.如權利要求6所述的下電極組件,其特征在于:所述介電套筒上設置第一臺階,所述第一臺階用于承載所述下保護環。
9.如權利要求1所述的下電極組件,其特征在于:所述介電套筒上設置第二臺階,所述第二臺階用于承載所述介電環。
10.如權利要求1所述的下電極組件,其特征在于:所述聚焦環的一部分環繞所述介電套筒。
11.一種等離子體處理裝置,包括一真空反應腔,其特征在于:所述真空反應腔內設置一下電極組件,所述下電極組件包括如權利要求1-10任一項所述的特征。
12.如權利要求11所述的等離子體處理裝置,其特征在于:所述真空反應腔內還包括一上電極組件,所述上電極組件包括向所述真空反應腔內輸送工藝氣體的氣體噴淋頭。
13.如權利要求11所述的等離子體處理裝置,其特征在于:所述真空反應腔上方設置一絕緣窗口,所述絕緣窗口上方設置一電感線圈。
14.一種下電極組件的安裝方法,其特征在于:包括下列步驟:
提供一帶有靜電夾盤的基座;
將一介電套筒套設在基座的外圍,所述介電套筒與所述基座之間設置一定縫隙;
向所述縫隙注入彈性材料層,所述彈性材料層實現對所述縫隙的填充;
將所述基座及介電套筒放入一反應腔內;
在所述縫隙靠近靜電夾盤的一端設置一保護環;
將所述介電環和聚焦環依次套設在所述介電套筒的外圍;
所述保護環用于遮擋聚焦環與靜電夾盤之間的縫隙。
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