[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于粒子塑形的真空鍍膜裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911294004.4
• 申請(qǐng)日: 2019-12-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111058002A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金馳
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 金馳
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/24
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/24
• 代理公司: 北京卓嵐智財(cái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11624
• 代理人: 郭智

一種基于粒子塑形的真空鍍膜裝置，包括蒸鍍腔、設(shè)置于蒸鍍腔中的第一蒸發(fā)源與基板，真空蒸鍍裝置還包括設(shè)置于蒸鍍腔中的塑形板與補(bǔ)膜板；塑形板設(shè)置于第一蒸發(fā)源的上方，其內(nèi)部開(kāi)設(shè)有若干間隔設(shè)置的塑形孔，塑形孔為通孔，其孔徑自下由上逐漸減小，塑形孔在塑形板底面上形成的孔徑大于蒸發(fā)粒子的直徑，在塑形板頂面上形成的孔徑小于蒸發(fā)粒子的直徑；補(bǔ)膜板設(shè)置于塑形板與基板的中間，其內(nèi)部開(kāi)設(shè)有若干補(bǔ)膜孔與若干間隔設(shè)置的蒸發(fā)孔，補(bǔ)膜孔所處的區(qū)域?yàn)檎舭l(fā)孔之間的間隔區(qū)域；蒸發(fā)孔為通孔，其孔徑等于塑形孔在塑形板頂面上形成的孔徑；補(bǔ)膜孔的底端封閉，其內(nèi)部設(shè)置有第二蒸發(fā)源。通過(guò)本發(fā)明的實(shí)施，能夠?qū)暹M(jìn)行均勻的鍍膜。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種基于粒子塑形的真空鍍膜裝置。

背景技術(shù)

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件（金屬、半導(dǎo)體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等。

真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)重要方面，它是以真空技術(shù)為基礎(chǔ)，利用物理或化學(xué)方法，并吸收電子束、分子束、離子束、等離子束、射頻和磁控等一系列新技術(shù)，為科學(xué)研究和實(shí)際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝。簡(jiǎn)單地說(shuō)，在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或?yàn)R射，使其在被涂覆的物體（稱(chēng)基板、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱(chēng)為真空鍍膜。

現(xiàn)有技術(shù)中的真空鍍膜裝置，在進(jìn)行鍍膜時(shí)通常不能使蒸發(fā)的粒子均勻的凝結(jié)沉積在待成膜的基板表面，從而很難通過(guò)真空蒸鍍?cè)诨灞砻娅@得均勻的鍍膜。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明目的：

為了克服背景技術(shù)中的缺點(diǎn)，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基于粒子塑形的真空鍍膜裝置，能夠有效解決上述背景技術(shù)中涉及的問(wèn)題。

技術(shù)方案：

一種基于粒子塑形的真空鍍膜裝置，包括蒸鍍腔、設(shè)置于所述蒸鍍腔中的第一蒸發(fā)源與基板，所述真空蒸鍍裝置還包括設(shè)置于所述蒸鍍腔中的塑形板與補(bǔ)膜板；

所述塑形板設(shè)置于所述第一蒸發(fā)源的上方，其內(nèi)部開(kāi)設(shè)有若干間隔設(shè)置的塑形孔，所述塑形孔為通孔，其孔徑自下由上逐漸減小，所述塑形孔在所述塑形板底面上形成的孔徑大于蒸發(fā)粒子的直徑，在所述塑形板頂面上形成的孔徑小于蒸發(fā)粒子的直徑；

所述補(bǔ)膜板設(shè)置于所述塑形板與所述基板的中間，其內(nèi)部開(kāi)設(shè)有若干補(bǔ)膜孔與若干間隔設(shè)置的蒸發(fā)孔，所述補(bǔ)膜孔所處的區(qū)域?yàn)檎舭l(fā)孔之間的間隔區(qū)域；所述蒸發(fā)孔為通孔，其孔徑等于所述塑形孔在所述塑形板頂面上形成的孔徑；所述補(bǔ)膜孔的底端封閉，其內(nèi)部設(shè)置有第二蒸發(fā)源。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，還包括設(shè)置在第一蒸發(fā)源下方的第一激光發(fā)射器、設(shè)置在第二蒸發(fā)源下方的第二激光發(fā)射器、設(shè)置在所述蒸鍍腔內(nèi)壁且用于發(fā)射與所述補(bǔ)膜板底面處于同一水平線上的紅外線的紅外發(fā)射器以及分別與所述第一激光發(fā)射器、第二激光發(fā)射器、紅外發(fā)射器連接的處理器。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述塑形孔為四棱柱狀，其在所述塑形板底面以及頂面上形成正方形開(kāi)孔。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，還包括設(shè)置在所述補(bǔ)膜板上方的下料裝置，所述下料裝置由軌道、滑軌、升降機(jī)構(gòu)、下料板以及夾持器構(gòu)成；所述滑軌縱向設(shè)置在所述蒸鍍腔的內(nèi)壁上，所述滑軌與所述處理器連接，用于在所述軌道上滑動(dòng)；所述升降機(jī)構(gòu)與所述處理器連接，用于驅(qū)動(dòng)所述下料板升降；所述下料板上設(shè)置有與所述蒸發(fā)孔對(duì)應(yīng)的下料孔；所述夾持器與所述處理器連接且設(shè)置在所述下料孔內(nèi)。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述塑形孔、補(bǔ)膜孔以及蒸發(fā)孔的內(nèi)壁上均涂有發(fā)熱膜。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述蒸鍍腔壁上設(shè)置有真空抽氣孔。

作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方式，所述第一蒸發(fā)源以及第二蒸發(fā)源為坩堝或蒸發(fā)舟。

本發(fā)明實(shí)現(xiàn)以下有益效果：