[發明專利]鈀基三元合金氫敏材料、薄膜、元件及制備方法，氫傳感器

有效

• 申請號: 201911293385.4
• 申請日: 2019-12-16
• 公開（公告）號: CN111118330B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 金承官;肖洲;許丹;劉智寅
• 申請（專利權）人: 北京凱恩特技術有限公司;中廣核工程有限公司
• 主分類號: C22C5/04
• 分類號: C22C5/04;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35;G01N27/18
• 代理公司: 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606
• 代理人: 王勤思

1.一種鈀基三元合金薄膜復合氫敏元件，其特征在于，包括：基片、過渡層、鈀基三元合金氫敏薄膜、熱敏電阻薄膜和加熱薄膜，所述鈀基三元合金氫敏薄膜由鈀基三元合金氫敏材料制成，所述鈀基三元合金氫敏材料由以原子數百分比計的以下組分組成：

Pd 89％～91.5％；

Y 6％～8.5％；

Ru 1％～0.2％；

其中，所述過渡層位于所述基片一側的表面之上，所述鈀基三元合金氫敏薄膜位于所述過渡層之上，所述熱敏電阻薄膜與所述鈀基三元合金氫敏薄膜同層設置于所述過渡層之上，所述熱敏電阻薄膜與所述鈀基三元合金氫敏薄膜之間具有間隙；所述加熱薄膜設置于所述基片另一側的表面上，所述加熱薄膜為基片提供±0.5℃的恒溫環境。

2.根據權利要求1所述的鈀基三元合金薄膜復合氫敏元件，其特征在于，所述熱敏電阻薄膜為鉑電阻薄膜。

3.根據權利要求1所述的鈀基三元合金薄膜復合氫敏元件，其特征在于，所述加熱薄膜的電阻值為5Ω～20Ω。

4.根據權利要求1所述的鈀基三元合金薄膜復合氫敏元件，其特征在于，所述鈀基三元合金氫敏薄膜的厚度為100nm～500nm。

5.根據權利要求1所述的鈀基三元合金薄膜復合氫敏元件，其特征在于，所述過渡層為金屬氧化物薄膜。

6.根據權利要求1所述的鈀基三元合金薄膜復合氫敏元件，其特征在于，所述過渡層為鉭氧化物薄膜或鉬氧化物薄膜。

7.根據權利要求1所述的鈀基三元合金薄膜復合氫敏元件，其特征在于，所述過渡層的厚度為60nm～300nm。

8.一種如權利要求1～7任一項所述的鈀基三元合金薄膜復合氫敏元件的制備方法，其特征在于，包括：

提供基片；

在所述基片一側的表面形成過渡層；以及

利用所述的鈀基三元合金氫敏材料，在所述過渡層表面形成鈀基三元合金氫敏薄膜。

9.一種鈀基三元合金薄膜氫傳感器，其特征在于，包括：

權利要求1-7任一項所述的鈀基三元合金薄膜復合氫敏元件，

隔熱板，所述鈀基三元合金薄膜復合氫敏元件設置于所述隔熱板上；

引線，所述引線與所述鈀基三元合金薄膜復合氫敏元件連接，用于引導和傳送所述鈀基三元合金薄膜復合氫敏元件產生的信號；和

殼體，所述殼體用于封裝所述鈀基三元合金薄膜復合氫敏元件、所述隔熱板和所述引線。