[發明專利]一種高線性度寬擺幅CMOS電壓跟隨器

在審

• 申請號: 201911290130.2
• 申請日: 2019-12-16
• 公開（公告）號: CN111384940A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 白春風;劉天宇;郭澤濤;喬東海
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: H03K19/003
• 分類號: H03K19/003;H03K19/0185
• 代理公司: 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙) 32251
• 代理人: 陸金星

1.一種高線性度寬擺幅CMOS電壓跟隨器，其特征在于，包括PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4、PMOS管P5、PMOS管P6、PMOS管P7、PMOS管P8、PMOS管P9、PMOS管P10、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5、參考電流源Iref、電阻R1、電阻R2、電容C1、偏置電壓Vb和電壓源VDD；

其中所述參考電流源Iref的一端分別連接到電阻R1的一端、PMOS管P5的柵極、PMOS管P6的柵極、PMOS管P7的柵極和PMOS管P8的柵極；所述電阻R1的另一端分別連接到PMOS管P1的柵極、PMOS管P2的柵極、PMOS管P3的柵極、PMOS管P4的柵極和PMOS管P5的漏極；所述電壓源VDD分別連接到PMOS管P1的源極、PMOS管P2的源極、PMOS管P3的源極、PMOS管P4的源極和PMOS管P9的源極；所述PMOS管P1的漏極連接到PMOS管P5的源極；所述PMOS管P2的漏極連接到PMOS管P6的源極；所述PMOS管P3的漏極連接到PMOS管P7的源極；所述PMOS管P4的漏極連接到PMOS管P8的源極；所述PMOS管P6的漏極分別連接到NMOS管N4的漏極、NMOS管N1的柵極和NMOS管N2的柵極；所述PMOS管P7的漏極分別連接到NMOS管N4的柵極、NMOS管N5的漏極和NMOS管N5的柵極；所述PMOS管P8的漏極分別連接到PMOS管P9的柵極、NMOS管N3的漏極和電阻R2的一端；所述PMOS管P9的漏極分別連接到PMOS管P10的源極和電容C1的一端并作為電壓輸出端Vout，所述電容C1的另一端與所述電阻R2的另一端相互連接；所述PMOS管P10的漏極分別連接到NMOS管N2的漏極、NMOS管N3的源極和NMOS管N5的源極；所述PMOS管P10的柵極連接到電壓輸入端Vin，所述NMOS管N1的漏極連接到NMOS管N4的源極；所述偏置電壓Vb連接到NMOS管N3的柵極；同時所述NMOS管N1的源極、所述NMOS管N2的源極和所述參考電流源Iref的另一端均接地。

2.根據權利要求1所述的高線性度寬擺幅CMOS電壓跟隨器，其特征在于，所述NMOS管N1與所述NMOS管N2的尺寸比為1：M+1，且尺寸相互匹配。

3.根據權利要求1所述的高線性度寬擺幅CMOS電壓跟隨器，其特征在于，所述NMOS管N4與所述NMOS管N5的尺寸比為1:1，且尺寸相互匹配。