[發明專利]一種數據寫入方法、裝置及DRAM-Less固態硬盤有效
| 申請號: | 201911286089.1 | 申請日: | 2019-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN111124944B | 公開(公告)日: | 2023-08-18 |
| 發明(設計)人: | 張吉興;黃運新;李衛軍;楊亞飛 | 申請(專利權)人: | 深圳大普微電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/06 | 分類號: | G06F12/06 |
| 代理公司: | 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372 | 代理人: | 譚友丹 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 數據 寫入 方法 裝置 dram less 固態 硬盤 | ||
1.一種數據寫入方法,應用于DRAM-Less固態硬盤,所述DRAM-Less固態硬盤包括非SLC閃存芯片,所述非SLC閃存芯片包括多個分組,每一分組包括多個非SLC物理塊,其特征在于,所述方法包括:
為所述分組配置至少一個SLC物理塊,建立每一SLC物理塊與所述分組中的一個非SLC物理塊的綁定關系;
通過所述SLC物理塊接收Host端發送的數據,當所述SLC物理塊的內存已滿時,確定所述SLC物理塊中的有效數據頁的比例;
若所述有效數據頁的比例小于預設比例閾值,則基于動態搬移策略,搬移所述SLC物理塊中的有效數據到與其綁定的非SLC物理塊;
若所述有效數據頁的比例不小于預設比例閾值,則基于靜態拷貝策略,拷貝所述SLC物理塊中的全部數據到與其綁定的非SLC物理塊;
所述動態搬移策略包括:
讀取所述SLC物理塊中全部的有效數據頁;
將所述SLC物理塊中全部的有效數據頁拷貝到綁定的非SLC物理塊;
將拷貝完成后的有效數據頁的物理地址更新到所述DRAM-Less固態硬盤的映射表中;
解除所述SLC物理塊與所述非SLC物理塊的綁定關系。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述將所述SLC物理塊中全部的有效數據頁拷貝到綁定的非SLC物理塊,包括:
從所述綁定的非SLC物理塊的第一個物理頁開始,將所述有效數據頁順序寫入到綁定的非SLC物理塊。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在將所述SLC物理塊中全部的有效數據頁拷貝到綁定的非SLC物理塊之后,所述方法還包括:
判斷所述SLC物理塊中全部的有效數據頁的數據是否完全拷貝到與其綁定的非SLC物理塊中;
若是,則解除所述SLC物理塊與其綁定的非SLC物理塊的綁定關系,并擦除所述SLC物理塊;
若否,則保留所述SLC物理塊與其綁定的非SLC物理塊的綁定關系,并保留所述SLC物理塊。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述靜態拷貝策略,包括:根據所述綁定關系,將所述SLC物理塊所有的物理頁的數據拷貝到綁定的非SLC物理塊,其中,
每一分組設置有一個內部緩存空間,所述根據所述綁定關系,將所述SLC物理塊所有的物理頁的數據拷貝到綁定的非SLC物理塊,包括:
固件指定所述SLC物理塊的物理頁為源物理頁,并對閃存發起拷貝讀指令;
將所述源物理頁的數據從源物理頁讀取到所述內部緩存空間;
固件指定所述SLC物理塊綁定的非SLC物理塊中的一個物理頁為目的物理頁,并對閃存發起拷貝寫指令;
將所述內部緩存空間中的源物理頁的數據拷貝到所述目的物理頁。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,在將所述SLC物理塊所有的物理頁的數據拷貝到綁定的非SLC物理塊之后,所述方法還包括:
判斷所述SLC物理塊中所有的物理頁的數據是否完全拷貝到對應的非SLC物理塊中;
若是,則解除所述SLC物理塊與其綁定的非SLC物理塊的綁定關系,并擦除所述SLC物理塊,更新擦除后的SLC物理塊與所述分組中的非SLC物理塊的綁定關系;
若否,則保留所述SLC物理塊與其綁定的非SLC物理塊的綁定關系,并保留所述SLC物理塊。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述建立每一SLC物理塊與所述分組中的一個非SLC物理塊的綁定關系,包括:
獲取所述SLC物理塊中所有的物理頁中的數據在所述DRAM-Less固態硬盤的映射表中的物理地址,并將其固定為與所述SLC物理塊綁定的非SLC物理塊的物理頁的物理地址。
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