[發(fā)明專利]鋰電池保護電路、保護系統、保護模塊封裝結構及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911285109.3 | 申請日: | 2019-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN112994128B | 公開(公告)日: | 2023-04-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 肖俊杰;于今;何劍 | 申請(專利權)人: | 華潤微電子(重慶)有限公司 |
| 主分類號: | H02J7/00 | 分類號: | H02J7/00;H01M10/42;H01M10/48 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 佟婷婷 |
| 地址: | 401331 重慶市*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鋰電池 保護 電路 系統 模塊 封裝 結構 方法 | ||
本發(fā)明提供一種鋰電池保護電路、鋰電池保護系統、鋰電池保護模塊封裝結構及封裝方法,鋰電池保護電路包括放電模塊、充電模塊以及設置在二者之間的感溫元件,本發(fā)明的方案中,各所述功率器件選擇為裸晶粒,可以減小封裝體積,感溫元件設置在充電模塊及放電模塊中間,采集裸晶粒的結溫,提高溫度采集的準確性,本發(fā)明的方案可以實現均流的效果好,動靜態(tài)參數的一致性良好的效果,連接電阻,可以提高驅動能力,能夠更好的實現均流及阻抗匹配,設置穩(wěn)壓二極管,可以對功率器件進行靜電保護,防止器件被靜電擊穿受損。
技術領域
本發(fā)明屬于鋰電池保護領域,特別是涉及一種鋰電池保護電路、鋰電池保護系統、鋰電池保護模塊封裝結構及鋰電池保護模塊封裝方法。
背景技術
金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor,MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect?transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型”的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
鋰電保護板一般是用單顆或多顆MOSFET串并聯的形式來對鋰電池進行保護,用單顆或多顆MOSFET存在一個比較致命的缺陷就是體積大;Gate端驅動電阻要跟MOSFET匹配,如不匹配,MOSFET在開關的時候容易出現振蕩,造成MOSFET易損壞或炸管;鋰電保護板有些需要監(jiān)測MOSFET的溫度,一般通過MOSFET的塑封料的殼溫來監(jiān)測MOSFET的溫度,但這種存在一個很大缺點,就是溫度檢測不準確,誤差很大,并只能檢測到MOSFET的周圍的環(huán)境溫度,不能夠檢測到MOSFET的Tj(結溫)溫度,不能夠很好反映MOSFET當前工作溫升的情況;鋰電保護板在多顆MOSFET并聯使用的時候,因為使用的MOSFET是單顆,當幾顆并聯使用時,均流的效果不是很好,多顆MOSFET的動靜態(tài)參數的一致性也差;單顆MOSFET本身存在一個問題就是抗靜電能力差(ESD),隨著科技水平進步,工藝平臺的提升,目前的MOSFET的抗靜電能力得到大大提升,但還是遠遠達不到要求。
因此,如何提供一種鋰電池保護電路、鋰電池保護系統、鋰電池保護模塊封裝結構及封裝方法以解決現有技術中的上述問題實屬必要。
發(fā)明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發(fā)明的目的在于提供一種鋰電池保護電路、鋰電池保護系統、鋰電池保護模塊封裝結構及封裝方法,用于解決現有技術中鋰電池保護板封裝體積大、采集溫度不準確、缺少ESD保護以及功率器件均流差、動靜態(tài)參數不一致等問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發(fā)明提供一種鋰電池保護電路,包括:
放電模塊,具有放電控制端、第一連接端及第二連接端,所述放電控制端接收放電控制信號以控制所述放電模塊的導通和關斷,所述第一連接端作為第一外接端口;
充電模塊,具有充電控制端、第三連接端及第四連接端,所述充電控制端接收充電控制信號以控制所述充電模塊的導通和關斷,所述第三連接端與所述放電模塊的所述第二連接端相連接,所述第四連接端作為第二外接端口;以及
感溫元件,所述感溫元件設置于所述放電模塊與所述充電模塊之間,以采集所述放電模塊及所述充電模塊的結溫。
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