[發明專利]背接觸式全彩LED顯示面板及其制造方法在審
| 申請號: | 201911285016.0 | 申請日: | 2019-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN112542479A | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 詹世豪;曾少澤;黃耀賢 | 申請(專利權)人: | 進化光學有限公司;黃耀賢 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 任媛;劉鐵生 |
| 地址: | 中國臺灣桃園市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸 全彩 led 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種背接觸式全彩LED顯示面板,包括:
一雙面拋光透光基板,其二表面分別作為一承載面與一出光面;
M×N個LED發光結構,其中各所述LED發光結構包括:
一緩沖層,形成于該雙面拋光透光基板的該承載面之上;
一第一半導體材料層,形成于該緩沖層之上;
一主動層,形成于該第一半導體材料層之上;及
一第二半導體材料層,形成于該主動層之上;
一絕緣層,形成于該承載面之上,且覆蓋該M×N個LED發光結構;
M×N個第一通孔,形成于該絕緣層之中,其中各所述第一通孔用以露出各所述第一半導體材料層;
M×N個第一導電柱,分別形成于該M×N個第一通孔之中,且具有一底端與一頂端,各所述第一導電柱以其所述底端連接至各所述第一半導體材料層;
M×N個第二通孔,形成于該絕緣層之中,其中各所述第二通孔用以露出各所述第二半導體材料層;
M×N個第二導電柱,分別形成于該M×N個第二通孔之中,且具有一底端與一頂端,各所述第二導電柱以其所述底端連接至各所述第二半導體材料層;以及
一光轉換單元,設置于該出光面之上,且包括M×N個光轉換部分別對應于該M×N個LED發光結構。
2.根據權利要求1所述的背接觸式全彩LED顯示面板,其特征在于,所述背接觸式全彩LED顯示面板與一驅動電路模塊組合成一全彩LED顯示設備,且該驅動電路模塊具有M×N個第一電極和M×N個第二電極;其中,各所述第一電極連接至各所述第一導電柱的該頂端,且各所述第二電極連接至各所述第二導電柱的該頂端。
3.根據權利要求2所述的背接觸式全彩LED顯示面板,其特征在于,所述全彩LED顯示設備與一觸控面板組合成一全彩LED觸控顯示設備,且該觸控面板置于該光轉換單元之上。
4.根據權利要求2所述的背接觸式全彩LED顯示面板,其特征在于,還包括一共接地層,其設置于該絕緣層與該驅動電路模塊之間,且具有N條橋接導線與一條共接地導線;其中,M個所述第一導電柱的該頂端同時連接至一條所述橋接導線,且N條所述橋接導線同時連接該共接地導線。
5.根據權利要求4所述的背接觸式全彩LED顯示面板,其特征在于,該M×N個第二電極同時連接至一共驅動導線,且該共驅動導線以其一共驅動電極而與該共接地導線的一共接地電極連接。
6.根據權利要求1所述的背接觸式全彩LED顯示面板,其特征在于,該雙面拋光透光基板可為下列任一者:雙面拋光藍寶石基板、雙面拋光尖晶石基板、雙面拋光碳化硅基板、雙面拋光玻璃基板、或雙面拋光石英基板。
7.根據權利要求1所述的背接觸式全彩LED顯示面板,其特征在于,該絕緣層的制程材料為一氧化物,且該緩沖層的制造材料可為下列任一者:未摻雜的氮化鎵、氮化鋁、或氧化鋅。
8.根據權利要求1所述的背接觸式全彩LED顯示面板,其特征在于,該第一半導體材料層的制造材料為N型氮化鎵,且所述第二半導體材料層的制造材料為P型氮化鎵。
9.根據權利要求1所述的背接觸式全彩LED顯示面板,其特征在于,該主動層于該第一半導體材料層與該第二半導體材料層之間形成一個多重量子井結構,且該多重量子井結構為一未摻雜的氮化鎵層與一氮化銦鎵層的一多重交互堆棧結構。
10.根據權利要求9所述的背接觸式全彩LED顯示面板,其特征在于,對應于該多重量子井結構包含彼此交互堆棧的多個所述未摻雜的氮化鎵層與多個所述氮化銦鎵層,該M×N個光轉換部包括:多個紅光轉換部、多個綠光轉換部以及多個空轉換部。
11.根據權利要求1所述的背接觸式全彩LED顯示面板,其特征在于,該主動層于該第一半導體材料層與該第二半導體材料層之間形成一個多重量子井結構,且該多重量子井結構為一氮化鋁鎵層與一氮化銦鎵層的多重交互堆棧結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





