[發明專利]改進寬頻段頻譜相位噪聲性能的電路結構在審
| 申請號: | 201911284149.6 | 申請日: | 2019-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN110855376A | 公開(公告)日: | 2020-02-28 |
| 發明(設計)人: | 陳爽;王小磊 | 申請(專利權)人: | 上海創遠儀器技術股份有限公司 |
| 主分類號: | H04B15/00 | 分類號: | H04B15/00 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王潔;鄭暄 |
| 地址: | 201601 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 改進 寬頻 頻譜 相位 噪聲 性能 電路 結構 | ||
1.一種改進寬頻段頻譜相位噪聲性能的電路結構,其特征在于,所述的電路結構包括:
預處理模塊,用于進行信號衰減和預處理;
混頻處理模塊,所述的混頻處理模塊的輸入端與所述的預處理模塊的輸出端相連接,用于對射頻信號進行多級變頻;
信號轉換測量模塊,所述的信號轉換測量模塊的輸入端與所述的混頻處理模塊的輸出端相連接,用于將信號轉換成數字信號,并完成后續的信號測量;
所述的混頻處理模塊包括常規混頻單元和下變頻單元,所述的下變頻單元的輸入端與預處理模塊的輸出端相連接,下變頻單元的輸出端與預處理模塊的輸入端相連接,所述的常規混頻單元的輸入端和輸出端均與所述的下變頻單元相連接,常規混頻單元用于通過上變頻將信號變換至中頻,下變頻單元用于對信號進行下變頻。
2.根據權利要求1所述的改進寬頻段頻譜相位噪聲性能的電路結構,其特征在于,所述的下變頻單元包括第一射頻開關、第二射頻開關、第四混頻器和第四本振信號子單元,所述的第一射頻開關的輸入端與所述的預處理模塊的輸出端相連接,第一射頻開關的輸出端輸出兩路信號,分別與第四混頻器的輸入端和常規混頻單元的輸入端相連接,第四混頻器的輸出端與第二射頻開關的輸入端相連接,第二射頻開關的輸出端與信號轉換測量模塊的輸入端相連接,所述的第四本振信號子單元為第四混頻器提供本振信號。
3.根據權利要求2所述的改進寬頻段頻譜相位噪聲性能的電路結構,其特征在于,所述的常規混頻單元包括第一混頻器、第二混頻器、第三混頻器、第一帶通濾波器、第二帶通濾波器、第一本振信號子單元、第二本振信號子單元和第三本振信號子單元,所述的第一混頻器、第一帶通濾波器、第二混頻器、第二帶通濾波器和第三混頻器依次連接在第一射頻開關的輸出端和第二射頻開關的輸入端,所述的第一本振信號子單元為第一混頻器提供本振信號,所述的第二本振信號子單元為第二混頻器提供本振信號,所述的第三本振信號子單元為第三混頻器提供本振信號。
4.根據權利要求1所述的改進寬頻段頻譜相位噪聲性能的電路結構,其特征在于,所述的下變頻單元包括第一射頻開關、第二射頻開關、合并混頻器和合并本振信號子單元,所述的合并混頻器的輸入端與所述的預處理模塊的輸出端相連接,合并混頻器的輸出端與第一射頻開關的輸入端相連接,第一射頻開關的輸出端分別與第二射頻開關的輸入端和常規混頻單元的輸入端相連接,第二射頻開關的輸出端與信號轉換測量模塊的輸入端相連接,合并本振信號子單元為合并混頻器提供本振信號。
5.根據權利要求4所述的改進寬頻段頻譜相位噪聲性能的電路結構,其特征在于,所述的常規混頻單元包括第二混頻器、第三混頻器、第一帶通濾波器、第二帶通濾波器、第二本振信號子單元和第三本振信號子單元,所述的第一帶通濾波器、第二混頻器、第二帶通濾波器和第三混頻器依次連接在第一射頻開關的輸出端和第二射頻開關的輸入端,所述的第二本振信號子單元為第二混頻器提供本振信號,所述的第三本振信號子單元為第三混頻器提供本振信號。
6.根據權利要求1所述的改進寬頻段頻譜相位噪聲性能的電路結構,其特征在于,所述的預處理模塊包括衰減器和預選濾波器,所述的衰減器的輸出端與預選濾波器的輸入端相連接,預選濾波器的輸出端與混頻處理模塊的輸入端相連接。
7.根據權利要求1所述的改進寬頻段頻譜相位噪聲性能的電路結構,其特征在于,所述的信號轉換測量模塊包括第三帶通濾波器、模數轉換器、DDC控制器和數字信號處理器,所述的第三帶通濾波器、模數轉換器、DDC控制器和數字信號處理器依次相連接,第三帶通濾波器的輸入端與混頻處理模塊的輸出端相連接。
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