[發明專利]一種DDS器件中子效應評估系統有效
| 申請號: | 201911284148.1 | 申請日: | 2019-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN111025374B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發明(設計)人: | 張濤;潘碩;蘇小波;楊俊浩;朱夏斌 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第五十八研究所 |
| 主分類號: | G01T3/00 | 分類號: | G01T3/00 |
| 代理公司: | 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 楊立秋 |
| 地址: | 214000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 dds 器件 中子 效應 評估 系統 | ||
本發明公開一種DDS器件中子效應評估系統,屬于集成電路技術領域。所述DDS器件中子效應評估系統包括位于放射間的待測電路板和配置電路板,以及位于監控室的頻譜分析儀、相位噪聲測試儀、頻率計數器、低相噪信號源、電源、計算機和GPIB控制器;其中,待測電路板通過連接電纜分別與頻譜分析儀、相位噪聲測試儀和頻率計數器連接,通過短距電纜與配置電路板連接;配置電路板通過連接電纜分別與低相噪信號源、電源和計算機連接;GPIB控制器分別與頻譜分析儀、相位噪聲測試儀、頻率計數器、低相噪信號源和計算機連接。本發明基于目前的試驗條件提出了一種DDS中子效應評估系統,可在線對高速DDS器件進行中子效應評估,具有較大的工程意義。
技術領域
本發明涉及集成電路技術領域,特別涉及一種DDS器件中子效應評估系統。
背景技術
中子是一種不帶電荷的高能粒子,其穿透力極強,在地球大氣層及深空區域均有分布。飛行器金屬外殼及內部材料對其幾乎無任何阻擋作用,中子會穿透外殼直接作用于內部器件上,造成位移損傷、器件電離等中子效應,引發器件動態性能降低、頻率偏移及功能失效,從而導致飛行器功能間斷、采集數據異常甚至飛行控制錯誤,嚴重影響飛行器安全。
DDS(Direct Digital Synthesizer,直接數字頻率合成器)是一種數字化的頻率、相位波形合成技術的器件,它通過內部的數字內核產生正弦的數字信號,并經過內嵌DAC轉換為模擬信號輸出,該器件具有調節精度高、精密跳頻及穩定性好等優點,在航天航空領域也有著廣泛應用。DDS器件內部包含SRAM、配置電路、大規模數字模塊及數模轉換器,其對中子效應具有一定的敏感性,而當前國際上對DDS器件的抗中子效應的評估剛剛起步,幾乎沒有DDS器件的中子試驗系統及測試方法的相關論文及專利。
中子試驗條件存在一定局限性,需提供高頻時鐘并在線測試評估,其放射區和監控區有較長距離,對于時鐘傳輸及器件動態性能測試有較大難度。
發明內容
本發明的目的在于提供一種DDS器件中子效應評估系統,以解決目前難以對時鐘傳輸及器件進行動態性能測試的問題。
為解決上述技術問題,本發明提供一種DDS器件中子效應評估系統,包括:
位于放射間的待測電路板和配置電路板,以及位于監控室的頻譜分析儀、相位噪聲測試儀、頻率計數器、低相噪信號源、電源、計算機和GPIB控制器;其中,
所述待測電路板通過連接電纜分別與所述頻譜分析儀、所述相位噪聲測試儀和所述頻率計數器連接,通過短距電纜與所述配置電路板連接;
所述配置電路板通過連接電纜分別與所述低相噪信號源、所述電源和所述計算機連接;
所述GPIB控制器分別與所述頻譜分析儀、所述相位噪聲測試儀、所述頻率計數器、所述低相噪信號源和所述計算機連接。
可選的,所述連接電纜包括高頻低損耗SMA電纜、低損耗通訊電纜和低阻電源電纜;
所述高頻低損耗SMA電纜用于所述頻譜分析儀、所述相位噪聲測試儀和所述頻率計數器與所述待測電路板的連接;以及所述配置電路板與所述低相噪信號源的連接;
所述低損耗通訊電纜用于所述配置電路板與所述計算機的連接;
所述低阻電源電纜用于所述配置電路板與所述電源的連接。
可選的,所述待測電路板包括待測DDS器件和外圍無源器件,其SPI、配置、器件時鐘及供電通過短距電纜由所述配置電路板提供。
可選的,所述配置電路板包括LDO、FPGA、RS485通訊模塊、晶振和時鐘電路,主控由所述計算機通過RS485協議傳輸給所述FPGA,并由所述FPGA發出包括SPI、控制信號在內的上位信號;
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