[發明專利]顯示面板、多區域顯示面板和顯示裝置在審
| 申請號: | 201911283399.8 | 申請日: | 2019-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN111029382A | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發明(設計)人: | 羅志忠;李澤林;吳偉力;薛慕蓉;邊坤 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606 | 代理人: | 吳娜娜 |
| 地址: | 230000 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 區域 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:
發光器件層;發光器件層包括若干子像素,所述子像素包括依次層疊設置的第一電極、發光層和第二電極;
電致變色器件,所述電致變色器件與所述第一電極聯用或者共用控制電極,所述控制電極用于控制施加所述電致變色器件兩端的電壓切換所述顯示面板的透光率。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述電致變色器件包括電致變色材料層、第一控制電極以及第二控制電極,所述電致變色材料層受所述第一控制電極和所述第二控制電極在其兩端施加的電壓控制電致變色材料層改變透光率;
其中,所述第二控制電極與所述第一電極聯用或者共用;
優選地,所述顯示面板還包括:基底;
所述發光器件層設置于所述基底上,所述電致變色器件設置于所述基底和所述發光器件層之間。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板還包括像素電路;
其中,所述第一控制電極與所述像素電路的柵極層,或源、漏電極層、或電源走線層或電容極板層同層設置。
4.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述電致變色材料層使用的電致變色材料包括有機電致變色材料和無機電致變色材料;
其中,所述無機電致變色材料選自三氧化鎢、氧化銥、氧化鉬和中空的金銀合金納米結構中的一種或多種的組合;
所述有機電致變色材料選自聚噻吩類及其衍生物、四硫富瓦烯、紫羅精類和金屬酞菁類化合物中的一種或多種的組合。
5.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一控制電極、所述第二控制電極、所述第一電極和所述第二電極均為透光電極;
其中,所述透光電極的材料包括氧化銦錫、或氧化銦鋅、或摻雜銀的氧化銦錫、或摻雜銀的氧化銦鋅。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一電極在所述基底所在平面的正投影由一個圖形單元或者兩個以上的圖形單元組成;
所述圖形單元為圓形、橢圓形、啞鈴形、葫蘆形或矩形。
7.一種多區域顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括第一顯示區和第二顯示區;
所述第一顯示區包括若干第一子像素、電致變色器件,所述第一子像素包括層疊設置的第一電極、第一發光層和第二電極,所述第一發光層設置于所述第一電極和所述第二電極之間;所述第一電極聯用或者共用電致變色器件的控制電極;
所述第二顯示區包括若干第二子像素,所述第二子像素包括層疊設置的第三電極、第二發光層和第四電極,所述第二發光層設置于所述第三電極和所述第四電極之間。
8.根據權利要求7所述的多區域顯示面板,其特征在于,所述第一子像素的透光率大于所述第二子像素的透光率;
優選地,所述第一子像素的開口面積小于所述第二子像素的開口面積;
優選地,所述第一顯示區中單位面積內第一子像素的數目小于或者等于所述第二顯示區中單位面積內第二子像素的數目。
9.根據權利要求7所述的多區域顯示面板,其特征在于,所述第二顯示區還設置有第一像素電路,用于驅動第一顯示區的所述第一子像素;
優選地,所述顯示面板還包括第三顯示區,所述第三顯示區鄰接所述第一顯示區和所述第二顯示區,所述第一像素電路設置于所述第三顯示區。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
權利要求1-9任一項所述的顯示面板;
透過所述顯示面板發射或者采集光線的感光器件;
當所述感光器件工作時,所述電致變色材料層為透明狀態;
當所述顯示面板顯示畫面時,所述電致變色材料層為非透明狀態。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





