[發明專利]一種總劑量效應缺陷模型的確定方法及裝置

有效

• 申請號: 201911282086.0
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN110968960B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發明（設計）人: 張晉新;郭紅霞;任迪遠;付軍;王玉東;潘霄宇;王輝;馮娟
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06T17/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種總劑量效應缺陷模型的確定方法，其特征在于，包括：

構建晶體管三維結構模型；

獲取初始空穴陷阱電荷參數至所述晶體管三維結構模型，形成初始輻射缺陷損傷模型；

基于所述晶體管三維結構模型中設定的物理模型和數值求解方法，計算所述初始輻射缺陷損傷模型的初始歸一化過?；鶚O電流；

確定所述初始歸一化過剩基極電流為預設初始歸一化過剩基極電流時，根據所述初始空穴陷阱電荷參數以及預設的每相鄰兩個輻射劑量點的歸一化過?；鶚O電流之間的比例關系確定不同輻射劑量點對應的空穴陷阱電荷參數，形成不同輻射劑量點下的總劑量效應缺陷模型；

其中，輻射劑量點為Q_i時的空穴陷阱電荷參數N_i＝(I_i)*(N_i-1)/(I_i-1)，I_i為輻射劑量點為Q_i時的預設電流，I_i-1為輻射劑量點為Q_i-1時的預設電流，N_i-1為輻射劑量點為Q_i-1時空穴陷阱電荷參數，N_i為輻射劑量點為Q_i-1時空穴陷阱電荷參數；

其中，所述初始空穴陷阱電荷參數為輻射劑量點為Q₁時的空穴陷阱電荷參數N₁。

2.根據權利要求1所述的總劑量效應缺陷模型的確定方法，其特征在于，形成不同輻射劑量點下的總劑量效應缺陷模型之后，還包括：

根據所述物理模型和所述數值求解方法，計算所述不同輻射劑量點下的總劑量效應缺陷模型的終態歸一化過?；鶚O電流；

確定所述終態歸一化過?；鶚O電流為預設終態歸一化過?；鶚O電流時，則確定所述總劑量效應缺陷模型為最終總劑量效應缺陷模型。

3.根據權利要求2所述的總劑量效應缺陷模型的確定方法，其特征在于，還包括：

根據所述最終總劑量效應缺陷模型繪制總劑量效應缺陷模型內部載流子復合率變化視圖；

根據所述總劑量效應缺陷模型內部載流子復合率變化視圖獲取總劑量效應機理。

4.根據權利要求1所述的總劑量效應缺陷模型的確定方法，其特征在于，所述晶體管三維結構模型包括發射區、基區、集電區、發射結覆蓋氧化層、集電結隔離氧化層以及電極接觸區域；

構建晶體管三維結構模型，包括：

獲取所述發射區、所述基區、所述集電區、所述發射結覆蓋氧化層、所述集電結隔離氧化層以及所述電極接觸區域的摻雜類型和摻雜濃度；

根據獲取的所述發射區、所述基區、所述集電區、所述發射結覆蓋氧化層、所述集電結隔離氧化層以及所述電極接觸區域的摻雜類型和摻雜濃度形成晶體管三維結構模型。

5.根據權利要求4所述的總劑量效應缺陷模型的確定方法，其特征在于，所述晶體管三維結構模型的發射結的發射區一側區域為高斯摻雜向基區擴散；

所述晶體管三維結構模型的集電結的集電區一側區域為高斯摻雜向基區擴散；

所述晶體管三維結構模型的整個基區為高斯摻雜雙向擴散。