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[發(fā)明專利]一種二維MXene基聲音探測器及其制備方法和應用在審

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 201911281660.0 申請日: 2019-12-13
公開(公告)號: CN111121951A 公開(公告)日: 2020-05-08
發(fā)明(設計)人: 溫博;丁惠君;張家宜;靳雨錕;梁維源;范濤健;康建龍;黃浩 申請(專利權(quán))人: 深圳瀚光科技有限公司
主分類號: G01H11/06 分類號: G01H11/06;A61F2/20
代理公司: 暫無信息 代理人: 暫無信息
地址: 518027 廣東省深圳市龍華區(qū)觀瀾*** 國省代碼: 廣東;44
權(quán)利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 一種 二維 mxene 聲音 探測器 及其 制備 方法 應用
【說明書】:

發(fā)明提供了一種二維MXene基聲音探測器,包括基底層、MXene薄膜、電極及包覆層,所述基底層與包覆層合圍成用于容置MXene薄膜的密封容置腔;所述電極包括一對,一對電極均與MXene薄膜接觸,且一對電極通過MXene薄膜電導通。本發(fā)明二維MXene基聲音探測器利用了MXene材料優(yōu)越的電學性能和力學性能,即不同振幅或者頻率的初始聲波作用于MXene薄膜時,能夠帶來MXene薄膜總電阻的大小及變化頻率差異,實現(xiàn)高效檢測和分辨初始聲波并生成對應的電信號。本發(fā)明還提供了一種人工電子喉嚨、二維MXene基聲音探測器的制備方法和二維MXene基聲音探測器在人工電子喉嚨上的應用。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及聲音探測裝置技術(shù)領域,具體涉及一種二維MXene基聲音探測器,本發(fā)明還涉及一種人工電子喉嚨,本發(fā)明還涉及一種二維MXene基聲音探測器的制備方法及應用。

背景技術(shù)

喉嚨(聲帶)是一種獨一無二的生物結(jié)構(gòu),其用于發(fā)聲且方便彼此溝通。喉部疾病往往導致溝通障礙,具體表現(xiàn)為大部分病患者無法通過喉嚨準確發(fā)聲。目前,存在許多解決方案用來幫助病人發(fā)聲,例如常見的包括食道發(fā)聲和人工電子喉嚨。食道發(fā)聲依靠食道的震動發(fā)出的聲音,和正常喉發(fā)出的聲音較為接近。但是,食道發(fā)聲需要借助于各種方法進行訓練,訓練周期長、過程艱辛,即使經(jīng)過大量的訓練,仍有60%以上的患者學不會食道發(fā)聲,這也成了食道發(fā)聲無法克服的障礙。人工電子喉嚨主要通過聲音探測器實現(xiàn),具體表現(xiàn)為:聲音探測器將聲音產(chǎn)生的生物振動(例如喉部振動)信號轉(zhuǎn)換成電信號,通過對電信號進行解析和功放,輸出解析和擴增后的聲音電信號,最后將該電信號輸出到喇叭等揚聲器設備,發(fā)出模擬人體喉嚨發(fā)聲的聲音。但是,傳統(tǒng)的人工電子喉嚨也存在解析功能有限,一者難以檢測和分辨生物振動信號,二者也無法準確模擬出生物振對應的聲音信號。

隨著可穿戴電子產(chǎn)品、臨床檢測裝置的快速發(fā)展,高靈敏度、電學性能和力學性能優(yōu)越的柔性傳感器材料越來越多的被人們發(fā)掘出來,研發(fā)出一種可穿戴的高分辨率聲音探測器在技術(shù)上變得可能,也成為目前高性能醫(yī)療器械的研究熱點。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此,本發(fā)明提供了一種二維MXene基聲音探測器,該二維MXene基聲音探測器利用了MXene材料優(yōu)越的電學性能和力學性能,能夠高效檢測和分辨聲波振動,并基于振動生成對應的電信號,以解決現(xiàn)有聲音探測器存在的檢出限低、分辨率低等問題。

第一方面,本發(fā)明提供了一種二維MXene基聲音探測器,包括基底層、MXene薄膜、電極及包覆層,所述基底層與包覆層合圍成用于容置MXene薄膜的密封容置腔;

所述電極包括一對,一對電極均與MXene薄膜接觸,且一對電極通過MXene薄膜電導通。

本發(fā)明一具體實施方式中,所述一對電極分別設置于MXene薄膜的兩側(cè),所述MXene薄膜及一對電極內(nèi)置于密封容置腔。

優(yōu)選地,所述基底層為PDMS基底層,所述包覆層為PDMS包覆層。

優(yōu)選地,所述電極與引線電連接,所述電極內(nèi)置于密封容置腔,所述引線穿過密封容置腔。

優(yōu)選地,所述電極的材質(zhì)包括鉻和金中的至少一種;所述電極的厚度為25nm~90nm。

優(yōu)選地,還包括偏壓電源,所述偏壓電源兩端分別與一對電極電連接,且所述偏壓電源用于給MXene薄膜提供偏壓。

本發(fā)明一具體實施方式中,還包括數(shù)字萬用表,所述數(shù)字萬用表分別與一對電極電連接,且所述數(shù)字萬用表用于檢測MXene薄膜的電阻值。

本發(fā)明另一具體實施方式中,還包括深度學習網(wǎng)絡,所述一對電極與深度學習網(wǎng)絡信號連接,且所述深度學習網(wǎng)絡用于檢測所述MXene薄膜的電阻值變化。

優(yōu)選地,所述深度學習網(wǎng)絡為SR-CNN(Syllable Recognition ConvolutionalNeural Network)網(wǎng)絡。

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