[發(fā)明專利]半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911280119.8
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN111354721B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發(fā)明（設計）人: 宮原聰
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L25/16
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

第1半導體芯片；

第2半導體芯片，其在通斷時與所述第1半導體芯片相比結溫高；

集電極圖案，其與所述第1半導體芯片的集電極以及所述第2半導體芯片的集電極電連接；

發(fā)射極圖案，其與所述第1半導體芯片的發(fā)射極以及所述第2半導體芯片的發(fā)射極電連接；

柵極圖案，其與所述第1半導體芯片的柵極電連接；

第1二極管，其陽極與所述柵極圖案電連接，陰極與所述第2半導體芯片的柵極電連接；以及

第2二極管，其與所述第1二極管反向并聯(lián)連接。

2.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

第1半導體芯片；

第2半導體芯片；

第3半導體芯片；

集電極圖案，其與所述第1半導體芯片的集電極、所述第2半導體芯片的集電極以及所述第3半導體芯片的集電極電連接；

發(fā)射極圖案，其與所述第1半導體芯片的發(fā)射極、所述第2半導體芯片的發(fā)射極以及所述第3半導體芯片的發(fā)射極電連接；

柵極圖案，其與所述第1半導體芯片的柵極以及所述第3半導體芯片的柵極電連接；

第1二極管，其陽極與所述柵極圖案電連接，陰極與所述第2半導體芯片的柵極電連接；以及

第2二極管，其與所述第1二極管反向并聯(lián)連接，

所述第2半導體芯片設置于所述第1半導體芯片和所述第3半導體芯片之間。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

具有第3半導體芯片，該第3半導體芯片的集電極與所述集電極圖案電連接，發(fā)射極與所述發(fā)射極圖案電連接，柵極與所述柵極圖案電連接，

所述第2半導體芯片設置于所述第1半導體芯片和所述第3半導體芯片之間。

4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述第1二極管的陽極和陰極之間沒有連接電阻器。

5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述第1二極管和所述第2半導體芯片之間以及所述第1二極管和所述柵極圖案之間沒有連接開關元件。

6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1二極管和所述第2二極管設置于所述柵極圖案之上。

7.根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

具有與所述第1二極管以及所述第2二極管并聯(lián)連接的開關。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

具有熱敏電阻，

如果所述熱敏電阻檢測出的溫度變得比預先確定的值高，則所述開關斷開。

9.根據(jù)權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2半導體芯片具有溫度傳感器，

如果所述溫度傳感器檢測出的溫度變得比預先確定的值高，則所述開關斷開。

10.根據(jù)權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

具有控制電路，

所述第2半導體芯片具有溫度傳感器，

如果所述溫度傳感器檢測出的溫度變得比預先確定的值高，則所述控制電路使所述開關斷開。