[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體封裝件和連接結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911280102.2
• 申請(qǐng)日: 2019-12-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111326485A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸智恩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/31
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/31;H01L23/552;H01L23/485
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉雪珂;王秀君

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝件和連接結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體封裝件包括：連接結(jié)構(gòu)，具有多個(gè)絕緣層以及位于所述多個(gè)絕緣層上的重新分布層。半導(dǎo)體芯片具有連接到所述重新分布層的連接墊，并且包封劑包封所述半導(dǎo)體芯片。無(wú)源組件嵌在所述連接結(jié)構(gòu)中并且具有連接到所述重新分布層的連接端子。所述重新分布層包括：多個(gè)重新分布圖案，每個(gè)設(shè)置在所述多個(gè)絕緣層上；以及多個(gè)重新分布過(guò)孔，每個(gè)貫穿所述多個(gè)絕緣層并且連接到所述多個(gè)重新分布圖案。所述多個(gè)重新分布過(guò)孔包括圍繞所述無(wú)源組件布置的多個(gè)阻擋過(guò)孔，并且所述多個(gè)重新分布圖案包括連接相鄰的阻擋過(guò)孔的阻擋圖案。

本申請(qǐng)要求于2018年12月14日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2018-0161984號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用被全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)

隨著用于移動(dòng)設(shè)備的顯示器的尺寸的增加，正不斷做出努力來(lái)增加電池的容量。隨著電池的容量的增加，在移動(dòng)設(shè)備中由電池占據(jù)的面積增大，因此正做出努力來(lái)減小印刷電路板(PCB)的尺寸。因此，組件所安裝的面積可減小，使得對(duì)模塊化的興趣不斷增加。

另外，安裝多個(gè)組件的相關(guān)技術(shù)的示例可包括板上芯片(COB)技術(shù)。COB安裝方法是使用表面安裝技術(shù)(SMT)將單獨(dú)的無(wú)源組件和半導(dǎo)體封裝件安裝在印刷電路板上的方法。然而，在這樣的方法中，通常需要大的安裝面積以便保持組件之間的最小間距，組件之間的電磁干擾(EMI)高，并且半導(dǎo)體芯片和無(wú)源組件之間的距離大，使得電噪聲增加。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的一方面可提供一種可有效阻擋因嵌在連接結(jié)構(gòu)中的組件引起的電磁干擾(EMI)的半導(dǎo)體封裝件。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，一種半導(dǎo)體封裝件可包括：連接結(jié)構(gòu)，具有彼此相對(duì)的第一表面和第二表面，并且所述連接結(jié)構(gòu)包括多個(gè)絕緣層以及設(shè)置在所述多個(gè)絕緣層上的重新分布層；以及半導(dǎo)體芯片，設(shè)置在所述連接結(jié)構(gòu)的所述第一表面上并且具有連接到所述重新分布層的連接墊。包封劑設(shè)置在所述連接結(jié)構(gòu)的所述第一表面上并且包封所述半導(dǎo)體芯片。無(wú)源組件嵌在所述連接結(jié)構(gòu)中并且具有連接到所述重新分布層的連接端子。所述重新分布層包括：多個(gè)重新分布圖案，每個(gè)設(shè)置在所述多個(gè)絕緣層中的相應(yīng)的絕緣層上；以及多個(gè)重新分布過(guò)孔，每個(gè)貫穿所述多個(gè)絕緣層中的相應(yīng)的絕緣層并且連接到所述多個(gè)重新分布圖案中的重新分布圖案。所述多個(gè)重新分布過(guò)孔包括圍繞所述無(wú)源組件布置的多個(gè)阻擋過(guò)孔，并且所述多個(gè)重新分布圖案包括連接相鄰的阻擋過(guò)孔的阻擋圖案。

根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，一種半導(dǎo)體封裝件可包括：基板，具有互連結(jié)構(gòu)并且具有腔；以及橋，設(shè)置在所述腔中并且包括連接結(jié)構(gòu)和無(wú)源組件，所述連接結(jié)構(gòu)包括多個(gè)絕緣層以及設(shè)置在所述多個(gè)絕緣層上的重新分布層，并且所述無(wú)源組件嵌在所述連接結(jié)構(gòu)中并且具有連接到所述重新分布層的連接端子。第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片均設(shè)置在所述基板上以連接到所述基板的所述互連結(jié)構(gòu)并且通過(guò)所述橋的所述重新分布層彼此電連接。所述重新分布層包括：多個(gè)重新分布圖案，每個(gè)設(shè)置在所述多個(gè)絕緣層中的相應(yīng)的絕緣層上；以及多個(gè)重新分布過(guò)孔，每個(gè)貫穿所述多個(gè)絕緣層中的相應(yīng)的絕緣層并且連接到所述多個(gè)重新分布圖案。所述多個(gè)重新分布過(guò)孔包括圍繞所述無(wú)源組件布置的多個(gè)阻擋過(guò)孔，并且所述多個(gè)重新分布圖案包括連接到所述多個(gè)絕緣層中的相鄰的阻擋過(guò)孔的阻擋圖案。