[發明專利]具有帶負耦合的諧振器的濾波器

有效

• 申請號: 201911278405.0
• 申請日: 2019-12-13
• 公開（公告）號: CN111326837B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: S·塔米阿佐
• 申請（專利權）人: 康普公司意大利有限責任公司
• 主分類號: H01P1/205
• 分類號: H01P1/205
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種濾波器設備，包括：

殼體；

從所述殼體沿第一方向延伸、且在垂直于第一方向的第二方向上排列的多個低頻帶諧振器；以及

從所述殼體延伸的多個高頻帶諧振器，其中高頻帶諧振器包括相應的柄和相應的諧振器頭，所述多個高頻帶諧振器中的第一高頻帶諧振器和第二高頻帶諧振器在所述殼體的沿第一方向的相對部分上，并且其中所述多個高頻帶諧振器中的所述第一高頻帶諧振器的第一諧振器頭與所述多個高頻帶諧振器中的所述第二高頻帶諧振器的第二諧振器頭在第一方向上相對并與所述第二諧振器頭電容性地耦合。

2.如權利要求1所述的濾波器設備，其中所述第一諧振器頭和所述第二諧振器頭之間的最短距離為4-6毫米。

3.如權利要求1所述的濾波器設備，其中所述第一諧振器頭或所述第二諧振器頭中的至少一個包括切口區域。

4.如權利要求3所述的濾波器設備，還包括在所述切口區域中的調諧元件。

5.如權利要求1所述的濾波器設備，

其中所述多個高頻帶諧振器中的第三高頻帶諧振器與所述多個高頻帶諧振器中的所述第二高頻帶諧振器在第一排上，

其中所述多個高頻帶諧振器中的所述第一高頻帶諧振器不在所述第一排上，

其中所述多個高頻帶諧振器中的所述第三高頻帶諧振器的第三諧振器頭與所述第一諧振器頭相對并與所述第一諧振器頭電容性地耦合，

其中所述多個高頻帶諧振器中的所述第三高頻帶諧振器的柄比所述多個高頻帶諧振器中的所述第一高頻帶諧振器的柄短，并且所述多個高頻帶諧振器中的所述第三高頻帶諧振器的柄比所述多個高頻帶諧振器中的所述第二高頻帶諧振器的柄短，

其中所述多個高頻帶諧振器中的第四高頻帶諧振器與所述多個高頻帶諧振器中的所述第一高頻帶諧振器在第二排上，

其中所述多個高頻帶諧振器中的所述第四高頻帶諧振器的第四諧振器頭與所述第三諧振器頭相對并與所述第三諧振器頭電容性地耦合，

其中所述第四諧振器頭與所述多個高頻帶諧振器中的第五高頻帶諧振器的第五諧振器頭相對并與所述第五諧振器頭電容性地耦合，

其中所述多個高頻帶諧振器中的所述第五高頻帶諧振器與所述多個高頻帶諧振器中的所述第二高頻帶諧振器和所述第三高頻帶諧振器在所述第一排上，以及

其中所述第三諧振器頭在所述第二諧振器頭和所述第五諧振器頭之間。

6.如權利要求1所述的濾波器設備，還包括在所述多個高頻帶諧振器中的所述第一高頻帶諧振器的柄上的調諧元件。

7.如權利要求1所述的濾波器設備，其中所述殼體包括金屬殼體，

其中所述金屬殼體、所述多個低頻帶諧振器以及所述多個高頻帶諧振器一起構成單塊的金屬結構。

8.如權利要求7所述的濾波器設備，

其中所述多個高頻帶諧振器中的所述第一高頻帶諧振器的平面表面與所述多個低頻帶諧振器中的第一低頻帶諧振器的平面表面共面，以及

其中所述多個高頻帶諧振器中的所述第一高頻帶諧振器的平面表面包括至少5毫米的均勻的厚度。

9.如權利要求7所述的濾波器設備，

其中所述多個高頻帶諧振器中的所述第一高頻帶諧振器的平面表面與所述多個低頻帶諧振器中的第一低頻帶諧振器的平面表面共面，

其中所述多個高頻帶諧振器中的所述第一高頻帶諧振器在第一方向上比所述多個低頻帶諧振器中的所述第一低頻帶諧振器短，以及

其中所述第一諧振器頭在第一方向上與所述第二諧振器頭電容性地耦合并與所述多個高頻帶諧振器中的第三高頻帶諧振器的第三諧振器頭電容性地耦合。

10.如權利要求1所述的濾波器設備，其中所述多個高頻帶諧振器中的相鄰的高頻帶諧振器彼此間隔開第一距離，所述第一距離比所述多個低頻帶諧振器中的相鄰的低頻帶諧振器彼此間隔開的第二距離寬。