[發明專利]一種類石墨相氮化碳基復合納米半導體材料的制備方法在審
| 申請號： | 201911278246.4 | 申請日： | 2019-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN110961135A | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發明（設計）人： | 應宗榮;孫靜;謝杰;王奇 | 申請（專利權）人： | 南京理工大學 |
| 主分類號： | B01J27/24 | 分類號： | B01J27/24 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 210094 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 種類 石墨 氮化 復合 納米 半導體材料 制備 方法 | ||
1.一種類石墨相氮化碳基復合納米半導體材料的制備方法，其特征在于：依次包括以下步驟：
第一步，水熱制備類石墨相氮化碳；
第二步，水熱制備尖晶石類鐵酸鹽；
第三步，將得到的類石墨相氮化碳和尖晶石類鐵酸鹽混合，得到含有尖晶石類鐵酸鹽的類石墨相氮化碳混合物；
第四步，將含有尖晶石類鐵酸鹽的類石墨相氮化碳混合物進行燒結；
第五步，獲得類石墨相氮化碳基復合納米半導體材料。
2.根據權利要求1所述的一種類石墨相氮化碳基復合納米半導體材料的制備方法，其特征在于：第一步水熱制備類石墨相氮化碳采用的原料為三聚氯氰、雙氰胺、尿素、二氰二胺之一種或者一種以上。
3.根據權利要求1所述的一種類石墨相氮化碳基復合納米半導體材料的制備方法，其特征在于：第二步水熱制備尖晶石類鐵酸鹽采用的原料為過渡金屬的水溶性鹽。
4.根據權利要求1～3任一項所述的一種類石墨相氮化碳基復合納米半導體材料的制備方法，其特征在于：采用的過渡金屬水溶性鹽為過渡金屬的鎳鹽、鈷鹽、錳鹽、銅鹽、鋅鹽、鐵鹽之一種或一種以上。
5.根據權利要求1～4任一項所述的一種類石墨相氮化碳基復合納米半導體材料的制備方法，其特征在于：第一步和第二步的水熱條件為100～200℃之間水熱反應24～72小時。
6.根據權利要求1～5任一項所述的一種類石墨相氮化碳基復合納米半導體材料的制備方法，其特征在于：第三步采用的類石墨相氮化碳與尖晶石類鐵酸鹽之質量比為0.95～0.7∶0.05～0.3。
7.根據權利要求1～6任一項所述的一種類石墨相氮化碳基復合納米半導體材料的制備方法，其特征在于：尖晶石類鐵酸鹽為NixCo1-xFe2O4。
8.根據權利要求1～7任一項所述的一種類石墨相氮化碳基復合納米半導體材料的制備方法，其特征在于：第四步的燒結條件為在惰性氣氛下400～600℃之間燒結4～9小時。
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