[發明專利]一種TopCon太陽能電池非原位磷摻雜的方法在審
| 申請號： | 201911276013.0 | 申請日： | 2019-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN111128697A | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發明（設計）人： | 韓大偉 | 申請（專利權）人： | 浙江愛旭太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/225 | 分類號： | H01L21/225;H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100 | 代理人： | 金麗英 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 topcon 太陽能電池 原位 摻雜 方法 | ||
1.一種TopCon太陽能電池非原位磷摻雜的方法，其特征在于：包括以下步驟；
步驟一，進管，使用LPCVD設備沉積多晶硅膜及經過后面幾道制程工序制成的半成品太陽能電池片送入擴散爐管；
步驟二，升溫沉積一，擴散爐管內溫度升至780～800攝氏度，穩定后通入氧氣、三氯氧磷、氮氣，進行第一次磷原子沉積；
步驟三，升溫沉積二，擴散爐管內溫度在步驟一基礎上提高10～20攝氏度，穩定后通入氧氣、三氯氧磷、氮氣，進行第二次磷原子沉積；
步驟四，高溫推進，擴散爐管內溫度升至900～1000攝氏度，通入氮氣與氧氣，進行高溫推進；
步驟五，出管，擴散爐管內通入氧氣，進行降溫、吹掃和回壓后出管。
2.如權利要求1所述的TopCon太陽能電池非原位磷摻雜的方法，其特征在于：所述步驟一中所述多晶硅膜的厚度為100～200納米。
3.如權利要求1所述的TopCon太陽能電池非原位磷摻雜的方法，其特征在于：所述步驟二中，通入氧氣的流量為300～600 標準毫升每分鐘，通入三氯氧磷的流量為300～450毫克每分鐘，通入氮氣的流量為300～600標準毫升每分鐘，時間設定是3分鐘，反應壓強控制在50毫巴。
4.如權利要求1所述的TopCon太陽能電池非原位磷摻雜的方法，其特征在于：所述步驟三中，通入氧氣的流量為300～600標準毫升每分鐘，通入三氯氧磷的流量為400～550毫克每分鐘，通入氮氣的流量為300～600標準毫升每分鐘，時間設定是2.5分鐘，反應壓強控制在50毫巴。
5.如權利要求1所述的TopCon太陽能電池非原位磷摻雜的方法，其特征在于：所述步驟四中，通入氧氣的流量為200～300標準毫升每分鐘，通入氮氣的流量為300～600標準毫升每分鐘，時間設定是5分鐘，反應壓強控制在200毫巴。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
