[發明專利]一種上電電路及電荷泵電路

有效

• 申請號: 201911273509.2
• 申請日: 2019-12-12
• 公開（公告）號: CN110932704B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發明（設計）人: 宋璧若;劉飛;霍宗亮
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H03K17/16
• 分類號: H03K17/16;H02M3/07
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張雪嬌

1.一種上電電路，其特征在于，用于輔助目標電路上電，所述目標電路接收工作電壓，輸出目標電壓，所述上電電路包括：電壓檢測電路、鎖存器和電壓傳輸電路；其中，

所述電壓檢測電路包括N級串接的反相器，N為大于或等于3的奇數；

所述鎖存器串接于相鄰兩級所述反相器之間，所述電壓傳輸電路的輸入端接于最后一級所述反相器的輸出端，所述電壓傳輸電路的輸出端與所述目標電路的輸入端連接；

所述工作電壓同時為所述電壓檢測電路和所述電壓傳輸電路供電；

所述電壓檢測電路用于在接收到使能信號時，檢測所述目標電壓，在當所述目標電壓為低電平時，向所述電壓傳輸電路提供第一信號，以使所述電壓傳輸電路將所述工作電壓直接提供給所述目標電路的輸入端；在當所述目標電壓為高電平時，向所述電壓傳輸電路提供第二信號，以使所述電壓傳輸電路關斷；

所述鎖存器，用于在當所述電壓檢測電路接收到所述使能信號，且所述目標電壓為高電平時，鎖存所述鎖存器的輸出電平。

2.根據權利要求1所述的上電電路，其特征在于，所述電壓檢測電路包括：第一級反相器、第二級反相器和第三級反相器；其中，

所述第一級反相器的輸入端用于接收所述使能信號，所述第一級反相器的電壓輸入端用于接收所述工作電壓，所述第一級反相器的輸出端與所述第二級反相器的輸入端連接；

所述第二級反相器的電壓輸入端用于接收所述目標電壓，所述第二級反相器的輸出端與所述鎖存器的輸入端連接；

所述鎖存器的輸出端與所述第三級反相器的輸入端連接，所述第三級反相器的輸出端與所述電壓傳輸電路的輸入端連接。

3.根據權利要求2所述的上電電路，其特征在于，所述第二級反相器包括：第一晶體管和第二晶體管；其中，

所述第一晶體管的源極用于接收所述目標電壓，所述第二晶體管的柵極與所述第二晶體管的柵極連接，作為所述第二級反相器的輸入端；

所述第一晶體管的漏極與所述第二晶體管的漏極連接，作為所述第二級反相器的輸出端；所述第二晶體管的漏極接固定電平；

所述第一晶體管為P型MOS管，所述第二晶體管為N型MOS管。

4.根據權利要求1所述的上電電路，其特征在于，所述鎖存器包括：第一子反相器和第二子反相器；其中，

所述第一子反相器的輸入端和第二子反相器的輸出端連接，作為所述鎖存器的輸入端；

所述第一子反相器的輸出端與所述第二子反相器的輸入端連接，作為所述鎖存器的輸出端。

5.根據權利要求1所述的上電電路，其特征在于，所述電壓傳輸電路由多個串接的P型MOS管構成。

6.根據權利要求5所述的上電電路，其特征在于，所述電壓傳輸電路包括第三晶體管和第四晶體管；其中，

所述第三晶體管的源極用于接收所述工作電壓，所述第三晶體管的柵極作為所述電壓傳輸電路的輸入端；

所述第三晶體管的漏極與所述第四晶體管的漏極連接，所述第四晶體管的源極作為所述電壓傳輸電路的輸出端；

所述第三晶體管和第四晶體管均為P型MOS管。

7.根據權利要求6所述的上電電路，其特征在于，還包括：放電電路；

所述放電電路的輸入端與所述電壓傳輸電路的浮空節點連接，用于在當所述電壓傳輸電路關斷時，將所述浮空節點的電壓泄放到地。

8.根據權利要求7所述的上電電路，其特征在于，所述放電電路為第五晶體管；

所述第五晶體管的柵極與所述第三晶體管的柵極連接，所述第五晶體管的漏極與所述第三晶體管的漏極連接；

所述第五晶體管的源極接地；

所述第五晶體管為N型MOS管。

9.一種電荷泵電路，其特征在于，包括：電荷泵、線性穩壓器和如權利要求1-8任一項所述的上電電路。