[發(fā)明專利]一種有機(jī)材料表面原子氧防護(hù)層局部損傷后的修補(bǔ)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911269437.4
• 申請(qǐng)日: 2019-12-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112934638B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋力昕;谷紅宇;張濤;呂少波;張錦麟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號(hào): B05D5/00
• 分類號(hào): B05D5/00;B05D7/24;C09D183/08
• 代理公司: 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲;鄭優(yōu)麗

1.一種有機(jī)材料表面原子氧防護(hù)層局部損傷后的修補(bǔ)方法，其特征在于，將硅烷溶液涂覆在有機(jī)材料表面原子氧防護(hù)層的表面的損傷位置，然后在25～300℃下進(jìn)行高溫?zé)崽幚硪詫?shí)現(xiàn)原子氧防護(hù)層的修補(bǔ)，所述原子氧防護(hù)層為含硅膜層；

所述硅烷選自N-氨乙基-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、氨丙基甲基二乙氧基硅烷、N-氨乙基-3-氨丙基三乙氧基硅烷和3-氨丙基三乙氧基硅烷中的至少一種；

在有機(jī)材料表面原子氧防護(hù)層的表面的損傷位置多次涂覆硅烷溶液，控制第一次涂覆的硅烷溶液中硅烷和有機(jī)材料熱膨脹系數(shù)匹配，且自第二次開(kāi)始，每一次涂覆的硅烷中的R/Si值＜前一次涂覆的硅烷中的R/Si值；

在高溫?zé)崽幚硗瓿芍螅瑢⑿扪a(bǔ)好的有機(jī)材料表面原子氧防護(hù)層再經(jīng)過(guò)穩(wěn)定化處理；所述穩(wěn)定化處理為紫外光氧化處理和熱處理；

所述紫外光氧化處理的UV光強(qiáng)度為2～15mW/cm²，時(shí)間為1～24小時(shí)；

所述熱處理的溫度為100～150℃，時(shí)間為2～48小時(shí)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述硅烷溶液的濃度為5～60wt%。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述硅烷溶液中N-氨乙基-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷、氨丙基甲基二乙氧基硅烷、N-氨乙基-3-氨丙基三乙氧基硅烷和3-氨丙基三乙氧基硅烷的濃度分別為（0～30wt%）：（0～30wt%）：（0～30wt%）：（0～30wt%），且各組分濃度之和為5～60wt%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述有機(jī)材料選自聚酰亞胺類、聚酯類、環(huán)氧類、聚氯乙烯類和酚醛類中的至少一種。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述硅烷溶液的溶劑選自乙醇、異丙醇、丁醇、N,?N-二甲基甲酰胺、N,?N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述涂覆的方法包括浸泡法、刷涂法、或噴涂法。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的修補(bǔ)方法，其特征在于，所述高溫?zé)崽幚淼臏囟葹?0℃～150℃。