[發(fā)明專利]一種單一取向鋅鎵氧薄膜及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911268997.8 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111081533A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉可為;韓冬陽(yáng);申德振;陳星;張振中;李炳輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 任美玲 |
| 地址: | 130033 吉林省長(zhǎng)春*** | 國(guó)省代碼: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 單一 取向 鋅鎵氧 薄膜 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種單一取向ZnGa2O4薄膜的制備方法,包括以下步驟:以有機(jī)鋅化合物作為鋅源,有機(jī)鎵化合物作為鎵源,以高純氧氣為氧源,利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法在襯底表面沉積ZnGa2O4薄膜。本發(fā)明提供的單一(111)取向ZnGa2O4薄膜的制備方法,其利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù),以有機(jī)鋅化合物作為鋅源,有機(jī)鎵化合物作為鎵源,以高純氧氣為氧源,通過(guò)生長(zhǎng)溫度、鋅源、鎵源和氧氣流量的精確控制,實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量單一(111)取向尖晶石結(jié)構(gòu)ZnGa2O4薄膜的生長(zhǎng),為實(shí)現(xiàn)高性能日盲紫外光探測(cè)器提供了便捷有效的手段。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種單一(111)取向ZnGa2O4薄膜及其制備方法。
背景技術(shù)
紫外探測(cè)技術(shù)是繼激光和紅外探測(cè)技術(shù)之后發(fā)展起來(lái)的又一新型軍民兩用探測(cè)技術(shù),目前在導(dǎo)彈尾焰探測(cè)、空間探測(cè)、火焰探測(cè)、空間通信等諸多領(lǐng)域發(fā)揮著巨大的作用。近年來(lái),寬禁帶半導(dǎo)體紫外探測(cè)器因其體積小、重量輕、工作時(shí)不需濾光片、無(wú)需制冷等優(yōu)點(diǎn)被認(rèn)為是可以取代真空光電倍增管和Si光電倍增管的第三代紫外探測(cè)器。
ZnGa2O4是ZnO和Ga2O3的復(fù)合氧化物,具有尖晶石結(jié)構(gòu),屬于直接帶隙半導(dǎo)體,禁帶寬度在4.4-5.0eV之間,在原理上可以應(yīng)用于248-280nm范圍內(nèi)的紫外光電器件等領(lǐng)域。ZnGa2O4與ZnMgO相比,可以避免結(jié)構(gòu)分相問(wèn)題;ZnGa2O4與Ga2O3相比,可以實(shí)現(xiàn)電學(xué)特性調(diào)控,提升導(dǎo)電性。又由于ZnGa2O4具有很好的穩(wěn)定性及抗輻射能力,較高的電子飽和漂移速度等優(yōu)勢(shì)。因此,ZnGa2O4是制備日盲紫外探測(cè)器的候選材料。
如要想實(shí)現(xiàn)高性能日盲紫外光探測(cè)器,首先要實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量尖晶石結(jié)構(gòu)ZnGa2O4薄膜的生長(zhǎng)取向和生長(zhǎng)質(zhì)量的有效控制。目前對(duì)于ZnGa2O4薄膜的生長(zhǎng),主要采用脈沖激光沉積(PLD)和射頻磁控濺射這兩種物理方法。通過(guò)這兩種方法制備的ZnGa2O4薄膜,具有(111)、(220)、(311)等多個(gè)取向,生長(zhǎng)取向無(wú)法有效調(diào)控,導(dǎo)致薄膜晶體質(zhì)量不高。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種單一取向ZnGa2O4薄膜及其制備方法,本發(fā)明提供的制備方法實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量單一(111)取向尖晶石結(jié)構(gòu)ZnGa2O4薄膜的生長(zhǎng)。
本發(fā)明提供了一種單一取向ZnGa2O4薄膜的制備方法,包括以下步驟:
以有機(jī)鋅化合物作為鋅源,有機(jī)鎵化合物作為鎵源,以高純氧氣為氧源,利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法在襯底表面沉積ZnGa2O4薄膜。
優(yōu)選的,所述有機(jī)鋅化合物為二乙基鋅和/或二甲基鋅;所述有機(jī)鎵化合物為三甲基鎵和/或三乙基鎵。
優(yōu)選的,所述有機(jī)鋅化合物以高純氮?dú)鉃檩d氣,所述載氣流速為5~20sccm;所述有機(jī)鎵化合物以高純氮?dú)鉃檩d氣,所述載氣流速為10~40sccm;所述氧氣流速為100~400sccm。
優(yōu)選的,所述襯底選自藍(lán)寶石襯底、氧化鎂或鋁酸鎂。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





