[發(fā)明專利]一種空間用ITO玻璃蓋片及制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911266084.2
• 申請日: 2019-12-11
• 公開（公告）號: CN111129189B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王鑫;杜永超;歐偉;趙穎
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第十八研究所;天津恒電空間電源有限公司
• 主分類號: H01L31/041
• 分類號: H01L31/041;H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18
• 代理公司: 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101
• 代理人: 蒙建軍

1.一種空間用ITO玻璃蓋片的制備 方法，所述空間用ITO玻璃蓋片包括玻璃蓋片，在所述玻璃蓋片上表面依次蒸鍍氟化鎂膜、ITO膜和金屬電極，其中電極采用多層金屬鈦鈀銀結(jié)構(gòu)；其特征在于，所述金屬電極包括：

兩個電極主焊點；

與所述電極主焊點電連接，且相互平行的兩條橫向匯流帶；

與所述橫向匯流帶垂直的多條縱向支流帶；每條縱向支流帶的一端與任一條橫向匯流帶連接，每條縱向支流帶的另一端懸空；

所述玻璃蓋片為矩形結(jié)構(gòu)，兩個電極主焊點位于矩形ITO膜上表面兩個角上；

所述方法包括如下步驟：

S1、清洗玻璃蓋片；具體為：將玻璃蓋片置于承載器中，在濃硫酸中浸泡15min～25min；浸泡后將承載器取出置于去離子水中進行沖洗，邊沖洗邊進行抖動，反復(fù)沖洗15～20次；將承載器置于氫氟酸溶液中浸泡1～3min，所述氫氟酸溶液中氫氟酸和水的體積比為1：50；浸泡后將承載器取出置于去離子水中進行沖洗，邊沖洗邊進行抖動，反復(fù)沖洗20次；將沖洗后的玻璃蓋片置于無水乙醇中進行脫水；將承載器置于甩干機中甩干；

S2、蒸鍍膜層；具體為：將清洗后的玻璃蓋片置于蒸鍍夾具上，放入真空鍍膜機中，抽真空后進行烘烤，烘烤溫度設(shè)定為250℃，烘烤18分鐘～22分鐘；烘烤完成后進行氟化鎂膜層蒸鍍，蒸鍍速率為3nm/s，蒸鍍厚度設(shè)為60nm，蒸鍍完成后坩堝冷卻15min；繼續(xù)進行ITO膜層的蒸鍍，將氧化銦和氧化錫以95：5的比例充分混合均勻作為ITO膜料，蒸發(fā)速率為0.5nm/s，蒸鍍厚度8nm，充氧的含量為30sccm；蒸鍍完成后冷卻至室溫，取出玻璃蓋片；

S3、電極蒸鍍；具體為：將蒸鍍有氟化鎂和ITO膜層的玻璃蓋片和掩模板置于工裝中放入真空鍍膜機內(nèi)，所述掩模板上的鏤空部分為蒸鍍電極的位置；抽真空，真空度達到5×10^-4Pa時開始依次蒸鍍金屬鈦-鈀-銀，鈦蒸鍍速率設(shè)定為5nm/s，蒸鍍厚度為300nm；鈀蒸鍍速率設(shè)定為2nm/s，蒸鍍厚度設(shè)定為100nm；銀蒸鍍速率為10nm/s，蒸鍍厚度為5000nm；蒸鍍完成后冷卻至室溫取出；

S4、退火處理；具體為：將蒸鍍好的ITO玻璃蓋片放在加熱爐的托盤中，抽真空；當鍍膜機真空度達到1×10^-3Pa后，將加熱爐的溫度設(shè)定為中250℃，退火處理1h，隨爐冷卻。