[發明專利]一種熱電堆紅外探測器

在審

• 申請號: 201911262823.0
• 申請日: 2019-12-11
• 公開（公告）號: CN112951974A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 李吉光;李曉坤;徐一舟
• 申請（專利權）人: 杭州福照光電有限公司
• 主分類號: H01L35/32
• 分類號: H01L35/32;G01J5/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種熱電堆紅外探測器，其特征在于，所述探測器包括單晶硅、復合膜層、熱電偶層、絕緣介質層、金屬圖形層、紅外吸收層和高反射散熱層；所述復合膜層生長在單晶硅層的上表面，所述熱電偶層生長在復合膜層的上面，所述熱電偶層由串聯的熱電偶組成，熱電偶材料由重摻雜N型多晶硅與重摻雜P型多晶硅經過結對連接而形成，所述絕緣介質層生長在熱電偶層上面，所述金屬圖形層，形成于所述絕緣介質層上，所述紅外吸收層生長在熱電堆的熱端的上表面，所述高反射散熱層生長在熱電堆層的冷端的上表面，所述紅外探測器的底部設有凹槽，形成隔熱腔體。

2.如權利要求1所述的熱電堆紅外探測器，其特征在于，所述復合介質膜由單層或多層的氧化硅和氮化硅復合而成。

3.如權利要求1所述的熱電堆紅外探測器，其特征在于，所述熱電偶層生長在復合膜層的上面，所述熱電偶層由串聯的熱電偶組成，熱電偶材料由重摻雜N型多晶硅與重摻雜P型多晶硅經過結對連接而形成，多晶硅的厚度為1-10μm，線寬為1-20μm之間，相鄰的N型多晶硅與P型多晶硅之間的距離為大于1μm，多個N型多晶硅與重摻雜P型中間通過鋁連接。

4.如權利要求1所述的熱電堆紅外探測器，其特征在于，所述絕緣介質層生長在熱電偶層上面，絕緣介質層的材料包括氧化硅、氮化硅的一種或兩種。

5.如權利要求1所述的熱電堆紅外探測器，其特征在于，所述金屬圖形層，形成于所述絕緣介質層上，包括電極及引線，以將所述p型多晶硅及N型多晶硅電阻塊連接形成熱電堆，中間通過光刻等工藝穿過絕緣層與多晶硅等連接，熱電堆層冷端與熱端在金屬圖形層用鋁電極與外界連接，所述金屬包括但不限于鋁、銀、金、鈦、鎢、鉑中的一種或多種。

6.如權利要求1所述的熱電堆紅外探測器，其特征在于，所述紅外吸收層生長在熱電堆的熱端的上表面，采用金屬納米材料沉積而成，層的厚度為50nm-1μm之間。

7.如權利要求1所述的熱電堆紅外探測器，其特征在于，所述高反射散熱層生長在熱電堆層的冷端的上表面，高反射散熱層可以由單層金屬或單層金屬和保護膜構成。