[發明專利]顯示模塊及包括顯示模塊的頭戴式顯示裝置在審
| 申請號: | 201911259927.6 | 申請日: | 2019-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN111508997A | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發明(設計)人: | 鄭禮理;嚴太镕 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G02B27/01 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;玉昌峰 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 模塊 包括 頭戴式 顯示裝置 | ||
1.一種顯示模塊,其中,包括:
多個發光元件;以及,
密封部件,密封所述多個發光元件,
所述密封部件包括:
基部,包含透明物質;以及,
覆蓋層,與所述基部的一面接觸,所述覆蓋層包括多個第一圖案及多個第二圖案,所述多個第一圖案分別以第一深度凹刻,所述多個第二圖案分別以不同于所述第一深度的第二深度凹刻。
2.根據權利要求1所述的顯示模塊,其中,
所述覆蓋層包含二氧化硅。
3.根據權利要求1所述的顯示模塊,其中,
所述多個第一圖案與所述多個第二圖案彼此交替配置。
4.根據權利要求3所述的顯示模塊,其中,
所述基部的厚度為100μm以上且300μm以下,
所述覆蓋層的厚度為500nm以上且600nm以下,
所述第一深度及所述第二深度分別為100nm以上且200nm以下。
5.根據權利要求4所述的顯示模塊,其中,
所述第二深度大于所述第一深度,
所述第二深度與所述第一深度之差為70nm以上且90nm以下。
6.根據權利要求5所述的顯示模塊,其中,
所述第二深度與所述第一深度之差基于與所述多個發光元件中至少任一個相對應的像素區域的中心區域與周邊區域的亮度差而決定。
7.根據權利要求1所述的顯示模塊,其中,
所述覆蓋層還包括多個第三圖案,所述多個第三圖案分別以不同于所述第一深度及所述第二深度的第三深度凹刻,
所述第三深度為100nm以上且200nm以下。
8.根據權利要求7所述的顯示模塊,其中,
所述第一深度、所述第二深度及所述第三深度中具有最大值的深度與具有最小值的深度之差為70nm以上且90nm以下。
9.根據權利要求7所述的顯示模塊,其中,
所述多個第一圖案、所述多個第二圖案及所述多個第三圖案彼此交替配置。
10.根據權利要求1所述的顯示模塊,其中,
所述覆蓋層中定義所述多個第一圖案及所述多個第二圖案中至少任一個的內側面與所述基部形成的角度為60度以上且85度以下。
11.一種顯示模塊,其中,包括:
多個發光元件;以及,
密封部件,密封所述多個發光元件,所述密封部件包括基部及覆蓋層,所述基部包含透明物質,所述覆蓋層配置于所述基部的一面,
所述覆蓋層包括:
基層,接觸于所述基部的所述一面;
多個第一圖案,分別在所述基層凸出第一長度量,并且所述多個第一圖案分別間隔第一間距;
多個第二圖案,分別在所述多個第一圖案中對應的第一圖案的一側凸出第二長度量;以及,
多個第三圖案,分別在所述多個第一圖案中對應的第一圖案的另一側凸出所述第二長度量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





