[發明專利]橫向雙擴散晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 201911259455.4
• 申請日: 2019-12-10
• 公開（公告）號: CN111092123A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 陸陽;韓廣濤;葛薇薇
• 申請（專利權）人: 杰華特微電子（杭州）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;高青

1.一種橫向雙擴散晶體管，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底頂部的阱區、漂移區和分別位于所述阱區和所述漂移區中的源區和漏區；

位于所述漂移區表面的第一介質層；

位于所述漂移區表面且覆蓋所述第一介質層的第一部分表面的第一場板；

部分覆蓋所述第一場板表面并堆疊在所述第一介質層的第二部分表面上的第二介質層；以及

位于所述第二介質層表面上的第二場板，

其中，所述第二場板包括至少一個接觸通道。

2.根據權利要求1所述的橫向雙擴散晶體管，其特征在于，所述第二介質層為金屬硅化物阻擋層，以使被所述金屬硅化物阻擋層覆蓋的區域不能形成金屬硅化物。

3.根據權利要求2所述的橫向雙擴散晶體管，其特征在于，所述金屬硅化物阻擋層為氧化層。

4.根據權利要求1所述的橫向雙擴散晶體管，其特征在于，所述接觸通道為沿垂直于所述第二介質層的表面方向延伸的通孔內填充的金屬塞。

5.根據權利要求1所述的橫向雙擴散晶體管，其特征在于，所述第二場板包括多個接觸通道，多個所述接觸通道沿從所述源區至所述漏區的延伸方向排成一列。

6.一種橫向雙擴散晶體管制造方法，其特征在于，包括：

在所述襯底頂部形成阱區、漂移區和分別位于所述阱區和所述漂移區中的源區和漏區；

在所述漂移區表面形成第一介質層；

形成位于所述漂移區表面且覆蓋所述第一介質層的第一部分表面的第一場板；

形成部分覆蓋所述第一場板表面并堆疊在所述第一介質層的第二部分表面上的第二介質層；以及

形成位于所述第二介質層表面上的第二場板，

其中，所述第二場板包括至少一個接觸通道。

7.根據權利要求6所述的橫向雙擴散晶體管制造方法，其特征在于，所述第二介質層為金屬硅化物阻擋層，以使被所述金屬硅化物阻擋層覆蓋的區域不能形成金屬硅化物。

8.根據權利要求7所述的橫向雙擴散晶體管制造方法，其特征在于，所述金屬硅化物阻擋層為氧化層。

9.根據權利要求6所述的橫向雙擴散晶體管制造方法，其特征在于，所述接觸通道為沿垂直于所述第二介質層的表面方向延伸的通孔內填充的金屬塞。

10.根據權利要求6所述的橫向雙擴散晶體管制造方法，其特征在于，所述第二場板包括多個接觸通道，多個所述接觸通道沿從所述源區至所述漏區的延伸方向排成一列。