[發(fā)明專利]光源裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911258466.0
• 申請(qǐng)日: 2019-12-10
• 公開（公告）號(hào): CN111524881B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡心偉;蔡濬璘;吳家政;于宥辰;王建添;蔡泰文;張百豪;楊淑樺;蘇渝宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 光寶光電（常州）有限公司;光寶科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/16
• 分類號(hào): H01L25/16;H01L23/367;H01L23/12
• 代理公司: 北京律和信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11446
• 代理人: 張羽;冷文燕

本發(fā)明公開一種光源裝置，包含基板、發(fā)光單元、圍墻、透光件、及一墊高塊。基板包含板體、及分別設(shè)置于板體相反兩側(cè)且彼此電性耦接的上電極層與下電極層。發(fā)光單元安裝于上電極層。圍墻設(shè)置于基板上、并圍繞于發(fā)光單元的外側(cè)。透光件設(shè)置于所述圍墻上并覆蓋發(fā)光單元。墊高塊包含絕緣本體、及分別位于絕緣本體相反兩側(cè)且彼此電性耦接的頂電極層與底電極層。其中，所述頂電極層連接于下電極層，并且所述頂電極層的輪廓切齊于下電極層的輪廓。據(jù)此，所述光源裝置通過采用不同于TO?CAN封裝的構(gòu)造，以符合現(xiàn)今各式不同要求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種光源裝置，尤其涉及一種采用新型態(tài)封裝結(jié)構(gòu)的光源裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)有光源裝置多采用TO-CAN(Transistor Outline-CAN晶體管外形罐)封裝，于近年來并未有大幅的結(jié)構(gòu)改良，因而逐漸難以符合各式不同要求。于是，本發(fā)明人認(rèn)為上述缺陷可改善，乃特潛心研究并配合科學(xué)原理的運(yùn)用，終于提出一種設(shè)計(jì)合理且有效改善上述缺陷的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例在于提供一種光源裝置，其能有效地改善現(xiàn)有光源裝置所可能產(chǎn)生的缺陷。

本發(fā)明實(shí)施例公開一種光源裝置，其特征在于，所述光源裝置包括：一基板，包含有一板體、及分別設(shè)置于所述板體相反兩側(cè)的一上電極層與一下電極層，并且所述上電極層與所述下電極層彼此電性耦接；一發(fā)光單元，安裝于所述上電極層；一圍墻，設(shè)置于所述基板上、并圍繞于所述發(fā)光單元的外側(cè)；一透光件，設(shè)置于所述圍墻上，并且所述透光件覆蓋所述發(fā)光單元；以及一墊高塊，包含有一絕緣本體、及分別位于所述絕緣本體相反兩側(cè)的一頂電極層與一底電極層，并且所述頂電極層與所述底電極層彼此電性耦接；其中，所述頂電極層連接于所述下電極層，并且所述頂電極層的輪廓切齊于所述下電極層的輪廓。

優(yōu)選地，所述絕緣本體包含有一頂面、一底面、及相連于所述頂面與所述底面的一環(huán)側(cè)面，所述頂電極層設(shè)置于所述頂面，所述底電極層設(shè)置于所述底面，所述墊高塊包含有形成于所述環(huán)側(cè)面的多條延伸線路，并且多條所述延伸線路連接于所頂電極層與所述底電極層。

優(yōu)選地，所述墊高塊的所述頂電極層包含有N個(gè)散熱墊及圍繞于N個(gè)所述散熱墊周圍的多個(gè)金屬墊，N為大于1的正整數(shù)，并且多個(gè)所述金屬墊呈一方環(huán)狀排列，而所述方環(huán)狀排列中的任一排所述金屬墊的數(shù)量不小于N個(gè)。

優(yōu)選地，所述墊高塊包含有M個(gè)散熱柱及圍繞于M個(gè)所述散熱柱周圍的多個(gè)金屬柱，M為正整數(shù)且小于N；M個(gè)所述散熱柱與多個(gè)所述金屬柱皆埋置于所述絕緣本體內(nèi)，所述頂電極層與所述底電極層通過M個(gè)所述散熱柱與多個(gè)所述金屬柱而彼此電性耦接；其中，M個(gè)所述散熱柱分別連接于N個(gè)所述散熱墊，多個(gè)所述金屬柱分別連接于多個(gè)所述金屬墊。

優(yōu)選地，任一個(gè)所述散熱墊的面積大于任一個(gè)所述金屬墊的面積，并且所述墊高塊的所述底電極層的輪廓等同于所述頂電極層的所述輪廓。

優(yōu)選地，所述光源裝置包含一驅(qū)動(dòng)芯片和一偵測(cè)器，所述驅(qū)動(dòng)芯片和所述偵測(cè)器安裝于所述上電極層，并且所述驅(qū)動(dòng)芯片和所述偵測(cè)器通過所述上電極層電性耦接于所述發(fā)光單元，而所述發(fā)光單元與所述偵測(cè)器位于所述驅(qū)動(dòng)芯片的同一側(cè)。

優(yōu)選地，所述光源裝置包含有設(shè)置于所述透光件上并固定于所述圍墻的一蓋板，所述蓋板形成有位置對(duì)應(yīng)于所述發(fā)光單元與所述偵測(cè)器的一穿孔。

優(yōu)選地，所述光源裝置包含有一偵測(cè)回路及兩條傳輸線路，所述偵測(cè)回路形成于所述透光件與所述蓋板的至少其中之一，兩條所述傳輸線路形成于所述圍墻，并且所述偵測(cè)回路通過兩條所述傳輸線路而電性耦接于所述上電極層。

優(yōu)選地，所述上電極層包含有一接地墊，所述光源裝置包含有固定于所述圍墻的內(nèi)緣并連接于所述接地墊的一金屬罩體，并且所述金屬罩體至少遮蔽所述驅(qū)動(dòng)芯片，所述金屬罩體形成有位置對(duì)應(yīng)于所述發(fā)光單元與所述偵測(cè)器的一開口。