[發(fā)明專利]鈦基氧化物二維材料及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911256758.0 | 申請日: | 2019-12-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110963526A | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳程成;趙振博;唐云濤;朱剛;倪毅強(qiáng);張旭輝;蔣攀攀 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn)研究所((工業(yè)和信息化部電子第五研究所)(中國賽寶實(shí)驗(yàn)室)) |
| 主分類號(hào): | C01G23/04 | 分類號(hào): | C01G23/04;B82Y40/00 |
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| 地址: | 510610 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氧化物 二維 材料 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種鈦基氧化物二維材料及其制備方法。所述制備方法包括如下步驟:(1)獲取鈦酸銫粉末,并與鹽酸的水溶液混合,進(jìn)行離子交換,收集沉淀物,清洗,干燥,得層狀結(jié)構(gòu)的水合鈦酸;(2)將所述層狀結(jié)構(gòu)的水合鈦酸分散于水中,加入插層劑進(jìn)行剝層處理,然后離心,收集清液。該制備方法能夠通過便于工業(yè)化應(yīng)用的工藝方法制備得到鈦基二維材料,能耗小,成本低,工藝便于控制,且制得的鈦基二維材料的二維平面面積大,功能性優(yōu)異。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及材料技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及鈦基氧化物二維材料及其制備方法。
背景技術(shù)
二維材料是一類新興的材料,厚度在單原子層到幾個(gè)原子層厚度的材料稱為二維材料。較為典型的二維材料,如石墨烯、黑鱗、MAXene等,因其載流子遷移和熱量擴(kuò)散都被限制在二維平面內(nèi),表現(xiàn)出高導(dǎo)電導(dǎo)熱性能、高接觸浸潤性、大比表面積、高機(jī)械強(qiáng)度等特點(diǎn),因此,二維材料在諸多領(lǐng)域具廣泛的應(yīng)用前景,例如:化學(xué)催化、光催化、新能源電池、生物醫(yī)藥等。
鈦元素在自然界中儲(chǔ)量豐富、環(huán)境友好,由于Ti原子外層四電子結(jié)構(gòu),使鈦基氧化物表現(xiàn)出許多奇特的性質(zhì),并在生產(chǎn)、生活中廣泛使用。將鈦基氧化物制備成具有超薄結(jié)構(gòu)的二維材料能夠極大的激發(fā)其活性,提高材料在催化、儲(chǔ)能等方面的效率。傳統(tǒng)的制備二維材料的方法有球磨、超聲、重結(jié)晶等。
然而,自然條件下鈦基氧化物主要以金紅石、銳鈦礦等晶型存在,很難通過重結(jié)晶生長成二維結(jié)構(gòu),且其晶型結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,無論通過物理方法(如球磨、超聲)還是化學(xué)方法都很難將其剝離成片,需要借助高能球磨、高溫等手段進(jìn)行剝離,能量消耗大,難以實(shí)現(xiàn)工業(yè)化應(yīng)用,同時(shí),前述方法制備的二維鈦基氧化物,其尺寸較大,二維平面的面積較小,很難形成超薄二維材料所獨(dú)具的納米效應(yīng),表現(xiàn)出來的功能性效果較差。
基于此,具有超薄二維結(jié)構(gòu)的鈦基氧化物鮮有報(bào)道,與其相關(guān)的應(yīng)用技術(shù)研究也受到了嚴(yán)重的制約。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要提供一種鈦基氧化物二維材料的制備方法。該制備方法能夠通過便于工業(yè)化應(yīng)用的工藝方法制備得到鈦基二維材料,能耗小,成本低,工藝便于控制,且制得的鈦基二維材料的二維平面面積大,功能性優(yōu)異。
一種鈦基氧化物二維材料的制備方法,包括如下步驟:
(1)獲取鈦酸銫粉末,并與鹽酸的水溶液混合,進(jìn)行離子交換,收集沉淀物,清洗,干燥,得層狀結(jié)構(gòu)的水合鈦酸;
(2)將所述層狀結(jié)構(gòu)的水合鈦酸分散于水中,加入插層劑進(jìn)行剝層處理,然后離心,收集清液。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,步驟(1)中,所述鹽酸的水溶液中鹽酸的濃度為0.2~2mol/L;及/或,所述鹽酸水溶液的用量為每100g所述鈦酸銫,加入0.8~1.2L。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,步驟(1)中,所述離子交換的時(shí)間為10~80h,且在所述離子交換過程中,每10h更換一次所述鹽酸的水溶液。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,步驟(1)中,所述堿金屬鈦酸鹽為鈦酸銫。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,步驟(2)中,所述插層劑為四丁基氫氧化銨、四丁基溴化銨或二乙基二甲基氫氧化銨。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,步驟(2)中,所述剝層處理的條件包括:在轉(zhuǎn)速200~800rpm條件下,攪拌1~5天。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,步驟(1)中,所述鈦酸銫的獲取方法包括如下步驟:
將碳酸銫與二氧化鈦加入水中,混合攪拌,然后于50~100℃溫度條件下攪拌至水揮發(fā)干,形成粉末;
壓制所述粉末,然后于500~900℃煅燒5~15h。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述壓制的壓力為5~20Mpa。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述碳酸銫與二氧化鈦摩爾比為1.5~2:1。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn)研究所((工業(yè)和信息化部電子第五研究所)(中國賽寶實(shí)驗(yàn)室)),未經(jīng)中國電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn)研究所((工業(yè)和信息化部電子第五研究所)(中國賽寶實(shí)驗(yàn)室))許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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