[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 201911254969.0 | 申請日: | 2019-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN111293146A | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發明(設計)人: | 崔晶浩;康南洙;金里瑟;樸興洙;李炫植;李欣承;黃載薰 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 陳亞男;尹淑梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
公開了一種顯示裝置。該顯示裝置包括:第一基體基底,包括多個像素;像素電極,在所述多個像素中的每個中位于第一基體基底上并包括反射膜;堤層,在像素電極上并部分地暴露像素電極;有機層,在堤層上并電連接到暴露的像素電極;以及共電極,在有機層上,其中,像素電極對420nm至470nm的第一波長范圍內的光具有80%或更大的反射率。
本申請要求于2018年12月10日在韓國知識產權局提交的第10-2018-0158026號韓國專利申請的優先權和權益,該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。
技術領域
本公開涉及一種顯示裝置。
背景技術
隨著多媒體的發展,顯示裝置正變得越來越重要。因此,正在開發諸如液晶顯示裝置(LCD)和有機發光二極管顯示裝置(OLED)的各種顯示裝置。
顯示裝置中的OLED包括作為自發光元件的有機發光元件。有機發光元件可以包括兩個面對的電極(像素電極和陰極)以及置于所述兩個電極之間的有機發光層。從所述兩個電極提供的電子和空穴可以在發光層中復合以產生激子。當產生的激子從激發態變為基態時,可以發射光。
因為OLED不需要光源,所以它們的功耗相對低,可以制造得相對輕質且薄,并具有相對寬的視角、高亮度和對比度以及快響應速度。由于這些高質量的特性,OLED作為下一代顯示裝置正受到關注。
當OLED是頂發射型時,有機發光元件的像素電極可以包括反射材料,以將從有機發光元件的有機發光層發射的光朝向顯示表面反射。
本說明書的背景技術部分包括旨在為示例實施例提供上下文的信息,并且本背景技術部分中的信息不一定構成現有技術。
發明內容
本公開的一些示例實施例的各方面包括一種其中可以改善有機發光元件的效率的顯示裝置。
本公開的一些示例實施例的各方面還提供一種其中可以減小有機發光元件的共電極的薄層電阻的顯示裝置。
然而,本公開的一些示例實施例的各方面不限于在此所闡述的一個方面。通過參照下面給出的本公開的詳細描述,本公開的以上方面和其他方面對于本公開所屬領域的普通技術人員將變得更加清楚。
根據本公開的一些示例實施例,提供了一種顯示裝置。
根據本公開的一些示例實施例,一種顯示裝置包括:第一基體基底,包括多個像素;像素電極,在所述多個像素中的每個中位于第一基體基底上并包括反射膜;堤層,在像素電極上并部分地暴露像素電極;有機層,在堤層上并電連接到暴露的像素電極;以及共電極,在有機層上,其中,像素電極對420nm至470nm的第一波長范圍內的光具有80%或更大的反射率。
根據一些示例實施例,像素電極對510nm至550nm的第二波長范圍內的光的平均反射率與像素電極對420nm至470nm的第一波長范圍內的光的平均反射率之間的差小于5%。
根據一些示例實施例,有機層可以發射第一波長范圍內的光。
根據一些示例實施例,像素電極還可以包括在反射膜上的上膜,其中,上膜包括ITO、IZO、ZnO、ITZO、In2O3和MgO中的任何一種。
根據一些示例實施例,像素電極還可以包括在反射膜下方的下膜,其中,下膜包括ITO、IZO、ZnO、ITZO、In2O3和MgO中的任何一種。
根據一些示例實施例,反射膜可以包括AlNiX,其中,X是選自于La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Tb和Lu中的任何一種元素。
根據一些示例實施例,顯示裝置還可以包括在共電極上方的波長轉換圖案。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





