[發(fā)明專利]具有U形溝道的半導(dǎo)體裝置及包括其的電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911254752.X
• 申請(qǐng)日: 2019-12-06
• 公開（公告）號(hào): CN111063683B
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱慧瓏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L27/092
• 分類號(hào): H01L27/092;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

公開了一種具有U形溝道的半導(dǎo)體裝置及包括這種半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。根據(jù)實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置包括在襯底上彼此相對(duì)的第一器件和第二器件。第一器件和第二器件各自包括：襯底上豎直延伸且在平面圖中呈U形的溝道部；分處于溝道部上下兩端且沿著U形溝道部的源/漏部；以及在所述U形的內(nèi)側(cè)與溝道部交迭的柵堆疊。第一器件的U形的開口和第二器件的U形的開口彼此相對(duì)。第一器件的柵堆疊的至少靠近溝道部的部分與第二器件的柵堆疊的至少靠近溝道部的部分實(shí)質(zhì)上共面。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及具有U形溝道的半導(dǎo)體裝置及包括這種半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體器件的不斷小型化，提出了各種結(jié)構(gòu)的器件例如鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)、多橋溝道場效應(yīng)晶體管(MBCFET)等。但是，這些器件在增加集成密度和增強(qiáng)器件性能方面由于器件結(jié)構(gòu)的限制改進(jìn)的空間仍然不能滿足要求。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本公開的目的至少部分地在于提供一種具有U形溝道的半導(dǎo)體裝置及包括這種半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體裝置，包括在襯底上彼此相對(duì)的第一器件和第二器件。第一器件和第二器件各自包括：襯底上豎直延伸且在平面圖中呈U形的溝道部；分處于溝道部上下兩端且沿著U形溝道部的源/漏部；以及在所述U形的內(nèi)側(cè)與溝道部交迭的柵堆疊。第一器件的U形的開口和第二器件的U形的開口彼此相對(duì)。第一器件的柵堆疊的至少靠近溝道部的部分與第二器件的柵堆疊的至少靠近溝道部的部分實(shí)質(zhì)上共面。

根據(jù)本公開的另一方面，提供了一種電子設(shè)備，包括上述半導(dǎo)體裝置。

根據(jù)本公開的實(shí)施例，提出了一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，可以具有高性能和高密度的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說明

通過以下參照附圖對(duì)本公開實(shí)施例的描述，本公開的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，在附圖中：

圖1至25示意性示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的流程中的一些階段，

其中，圖3(a)、4、5(a)、6(a)、9(a)、11(a)、15(a)、21(a)、22(a)、23(a)是俯視圖，圖1、2、3(b)、5(b)、6(b)、7(a)、7(b)、8、9(b)、10、11(b)、12(a)、13、14(a)、15(b)、16(a)、17(a)、18(a)、19(a)、20(a)、21(b)、22(b)、24、25是沿AA′線的截面圖，圖11(c)、12(b)、14(b)、15(c)、16(b)、17(b)、18(b)、19(b)、20(b)是沿BB′線的截面圖，圖23(b)是沿CC′線的截面圖。

貫穿附圖，相同或相似的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖來描述本公開的實(shí)施例。但是應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本公開的范圍。此外，在以下說明中，省略了對(duì)公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本公開的概念。

在附圖中示出了根據(jù)本公開實(shí)施例的各種結(jié)構(gòu)示意圖。這些圖并非是按比例繪制的，其中為了清楚表達(dá)的目的，放大了某些細(xì)節(jié)，并且可能省略了某些細(xì)節(jié)。圖中所示出的各種區(qū)域、層的形狀以及它們之間的相對(duì)大小、位置關(guān)系僅是示例性的，實(shí)際中可能由于制造公差或技術(shù)限制而有所偏差，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實(shí)際所需可以另外設(shè)計(jì)具有不同形狀、大小、相對(duì)位置的區(qū)域/層。

在本公開的上下文中，當(dāng)將一層/元件稱作位于另一層/元件“上”時(shí)，該層/元件可以直接位于該另一層/元件上，或者它們之間可以存在居中層/元件。另外，如果在一種朝向中一層/元件位于另一層/元件“上”，那么當(dāng)調(diào)轉(zhuǎn)朝向時(shí)，該層/元件可以位于該另一層/元件“下”。