[發(fā)明專利]一種薄壁件的裝夾結(jié)構(gòu)及薄壁件的裝夾方法和用途在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911253044.4 | 申請日: | 2019-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN110774030A | 公開(公告)日: | 2020-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姚力軍;潘杰;邊逸軍;王學澤;周建軍 | 申請(專利權(quán))人: | 寧波江豐電子材料股份有限公司 |
| 主分類號: | B23Q3/06 | 分類號: | B23Q3/06 |
| 代理公司: | 11659 北京遠智匯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 王巖 |
| 地址: | 315400 浙江省寧波市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄壁件 蓋板 凸臺 裝夾結(jié)構(gòu) 基臺 裝夾 半導體零部件 薄壁件加工 底座中心 固定裝置 快速裝夾 扭曲變形 向上凸起 平面度 夾持 伸入 底座 貫穿 加工 | ||
1.一種薄壁件的裝夾結(jié)構(gòu),其特征在于,所述裝夾結(jié)構(gòu)包括基臺和蓋板;
所述基臺包括底座和從底座中心向上凸起的凸臺;
所述蓋板設(shè)置于凸臺上;
所述裝夾結(jié)構(gòu)還包括貫穿蓋板伸入凸臺內(nèi)的固定裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝夾結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凸臺的圓柱邊比薄壁件的外徑小;
優(yōu)選地,所述凸臺的直徑比薄壁件的外徑小0.05~0.1mm;
優(yōu)選地,所述基臺的底座上設(shè)置有凹槽;
優(yōu)選地,所述凹槽設(shè)置在底座邊緣;
優(yōu)選地,所述凹槽的寬度為3~10mm,優(yōu)選為4~8mm;
優(yōu)選地,所述凹槽的深度為0.2~0.4mm,優(yōu)選為0.2~0.3mm;
優(yōu)選地,所述底座的厚度為10~20mm,優(yōu)選為14~16mm;
優(yōu)選地,所述基臺的材質(zhì)包括鋁合金或不銹鋼,優(yōu)選為鋁合金6061。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝夾結(jié)構(gòu),其特征在于,所述蓋板的厚度為5~15mm,優(yōu)選為8~12mm;
優(yōu)選地,所述蓋板的直徑比薄壁件的內(nèi)徑大;
優(yōu)選地,所述蓋板的直徑比薄壁件的外徑小;
優(yōu)選地,所述蓋板的直徑比薄壁件的外徑小0.2~1mm,優(yōu)選為0.4~0.8mm;
優(yōu)選地,所述蓋板的材質(zhì)包括鋁合金或不銹鋼,優(yōu)選為鋁合金6061。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3任一項所述的裝夾結(jié)構(gòu),其特征在于,所述蓋板上設(shè)置有貫穿于蓋板的蓋板孔;
優(yōu)選地,所述蓋板孔在蓋板表面呈等角度分布;
優(yōu)選地,所述蓋板孔的圓心到蓋板圓周的徑向距離為14~24mm,優(yōu)選為16~22mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝夾結(jié)構(gòu),其特征在于,所述基臺的凸臺上表面設(shè)置有與蓋板孔相匹配的凸臺孔;
優(yōu)選地,所述凸臺孔在凸臺上表面呈等角度分布;
優(yōu)選地,所述凸臺孔的圓心到凸臺圓周的徑向距離為14~25mm,優(yōu)選為17~23mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝夾結(jié)構(gòu),其特征在于,所述固定裝置包括螺桿;
優(yōu)選地,所述螺桿的直徑為M6~M10,優(yōu)選為M8;
優(yōu)選地,所述螺桿貫穿于蓋板的蓋板孔并置于凸臺的凸臺孔內(nèi)部,固定基臺和蓋板。
7.一種薄壁件的裝夾方法,其特征在于,所述方法采用權(quán)利要求1~6任一項所述的薄壁件的裝夾結(jié)構(gòu)進行。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法包括:將薄壁件放于基臺上,再將蓋板蓋于薄壁件和基臺上,利用固定裝置將蓋板與基臺固定。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述薄壁件為包括環(huán)形結(jié)構(gòu)的薄壁件;
優(yōu)選地,所述薄壁件包括圓筒結(jié)構(gòu);
優(yōu)選地,所述薄壁件包括設(shè)置在圓筒結(jié)構(gòu)內(nèi)表面與圓筒結(jié)構(gòu)垂直的環(huán)形支耳;
優(yōu)選地,所述環(huán)形支耳設(shè)置在圓筒結(jié)構(gòu)軸向方向的正中間;
優(yōu)選地,所述環(huán)形支耳的環(huán)寬為5~10mm,優(yōu)選為6~8mm;
優(yōu)選地,所述薄壁件的厚度為3~4mm,優(yōu)選為3.2~3.8mm;
優(yōu)選地,所述薄壁件的材質(zhì)包括不銹鋼、鋁合金或鈦合金中的任意一種或至少兩種的組合。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,所述方法包括將薄壁件的圓筒結(jié)構(gòu)設(shè)置在基臺底座的凹槽中;
優(yōu)選地,所述凸臺的圓柱邊與薄壁件的圓筒結(jié)構(gòu)內(nèi)表面之間留有0.05~0.1mm的間隙;
優(yōu)選地,將所述環(huán)形支耳置于凸臺與蓋板之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1~6任一項所述的薄壁件的裝夾結(jié)構(gòu)在半導體制備領(lǐng)域中的用途。
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