[發明專利]存儲器電路和形成存儲器電路的方法

在審

• 申請號: 201911253037.4
• 申請日: 2019-12-09
• 公開（公告）號: CN111292785A
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 沃納·軍林
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/22
• 分類號: G11C11/22
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種形成存儲器電路的方法，其包括：

使用數字線掩模以形成以下兩者：(a)存儲器陣列區域中的導電數字線，和(b)在所述存儲器陣列區域外側的外圍電路區域中的導電通孔的下部部分，所述通孔的所述下部部分與所述通孔和所述數字線下方的電路電耦合；

在所述存儲器陣列區域中的所述數字線上方形成導電字線的對，所述字線的對從所述存儲器陣列區域延伸到所述外圍電路區域中，所述對中的個別者在所述通孔中的個別者的所述下部部分中的個別者正上方；以及

形成所述個別通孔的個別上部部分，所述個別上部部分：(c)直接電耦合到所述個別通孔的所述個別下部部分中的一個，且(d)將所述個別對字線的在相應個別通孔的相應一個個別下部部分正上方的所述字線直接電耦合在一起。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述個別通孔水平地縱向伸長。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，

所述數字線相對于彼此平行地縱向伸長；

所述水平地縱向伸長的通孔相對于彼此平行；且

所述通孔和數字線相對于彼此縱向成角度。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述通孔和數字線相對于彼此縱向成正交角度。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述數字線掩模在所述存儲器陣列區域和所述外圍電路區域兩者中的導電材料正上方，所述使用包括蝕刻所述存儲器陣列區域和所述外圍電路區域中未被所述數字線掩模覆蓋的所述導電材料。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述存儲器陣列區域和所述外圍電路區域中的所述導電材料的所述蝕刻同時進行。

7.一種形成存儲器電路的方法，其包括：

在導電材料上方形成掩模，所述掩模包括存儲器陣列區域中的多個數字線輪廓和在所述存儲器陣列區域外側的外圍電路區域中的導電通孔的下部部分的多個輪廓；

在蝕刻所述導電材料的未經掩蔽部分時使用所述掩模以形成包括所述存儲器陣列區域中的所述導電材料的導電數字線且形成包括所述外圍電路區域中的所述導電材料的導電通孔的下部部分；

在所述通孔中的個別者的所述下部部分中的個別者正上方形成豎直延伸的犧牲結構；

在所述存儲器陣列區域中的所述數字線上方形成導電字線的對，所述字線的對從所述存儲器陣列區域延伸到所述外圍電路區域中，所述對中的個別者的所述字線抵靠所述犧牲結構中的個別者的相對側；以及

用導體材料替換所述犧牲結構且在那里形成所述個別通孔的個別上部部分，所述個別上部部分：(a)直接電耦合到所述個別通孔的所述個別下部部分中的一個，且(b)將相應個別對字線的所述字線直接電耦合在一起。

8.根據權利要求7所述的方法，其中與形成所述數字線和所述通孔的所述下部部分在不同時間且使用另一掩模形成所述犧牲結構。

9.根據權利要求7所述的方法，其包括將所述個別犧牲結構和下方的相應個別通孔的所述下部部分形成為縱向共同延伸。

10.根據權利要求7所述的方法，其包括將所述個別犧牲結構和下方的相應個別通孔的所述下部部分形成為不橫向共同延伸。

11.根據權利要求7所述的方法，其包括：

將所述個別犧牲結構和下方的相應個別通孔的所述下部部分形成為縱向共同延伸；以及

將所述個別犧牲結構和下方的相應個別通孔的所述下部部分形成為不橫向共同延伸。

12.根據權利要求7所述的方法，其包括還使用所述掩模形成所述犧牲結構，所述使用包括在蝕刻所述導電材料的所述未經掩蔽部分之前蝕刻所述犧牲結構的材料。

13.根據權利要求7所述的方法，其包括將所述個別犧牲結構和下方的相應個別通孔的所述下部部分形成為橫向共同延伸。